[发明专利]柔性X射线探测器及其制备方法在审
申请号: | 202010212937.0 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN111430391A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 史思罡;孙建军;金利波 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 射线 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一基板,于所述第一基板上形成闪烁体层,并于所述闪烁体层上形成柔性塑封层;
提供第二基板,于所述第二基板上形成柔性基底,并于所述柔性基底上形成感光器阵列,且于所述感光器阵列外围区域接合柔性引出线路板,以实现所述感光器阵列的电性引出;
剥离所述第二基板;
将所述柔性塑封层与所述感光器阵列进行贴合;
于所述柔性基底下表面贴合保护层。
2.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:剥离所述第二基板的方法包括激光剥离法或机械剥离法。
3.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:将所述柔性塑封层与所述感光器阵列进行贴合的方法包括滚筒贴合法或真空压膜贴合法。
4.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述柔性塑封层包括Parylene塑封层,且所述Parylene塑封层采用蒸镀法形成于所述闪烁体层上。
5.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述闪烁体层包括CsI闪烁体层,且所述CsI闪烁体层采用蒸镀法形成于所述第一基板上。
6.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述柔性基底包括PI基底、PVA基底及PET基底中的一种,且所述柔性基底采用旋涂、烘干及固化工艺形成于所述第二基板上。
7.根据权利要求1所述的柔性X射线探测器的制备方法,其特征在于:所述保护层包括具有单面胶层的PET膜、Al膜及黑色吸光膜中的一种,且通过所述胶层将所述保护层与所述柔性基底进行贴合。
8.一种柔性X射线探测器,其特征在于,所述柔性X射线探测器包括:
柔性基底;
保护层,所述保护层位于所述柔性基底的下表面;
感光器阵列,所述感光器阵列位于所述柔性基底的上表面,且所述感光器阵列外围区域接合有柔性引出线路板,以实现所述感光器阵列的电性引出;
柔性塑封层,所述柔性塑封层位于所述感光器阵列的上表面;
闪烁体层,所述闪烁体层位于所述柔性塑封层的上表面;
第一基板,所述第一基板位于所述闪烁体层的上表面。
9.根据权利要求8所述的柔性X射线探测器,其特征在于:所述柔性塑封层包括Parylene塑封层;所述第一基板包括Al基板或Cu基板。
10.根据权利要求8所述的柔性X射线探测器,其特征在于:所述柔性基底包括PI基底、PVA基底及PET基底中的一种;所述保护层包括具有单面胶层的PET膜、Al膜及黑色吸光膜中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的