[发明专利]核壳量子点、量子点发光二极管、量子点组合物、显示器件

权利要求书

1.核壳量子点，其特征在于，包括量子点核以及由内到外依次包覆在所述量子点核上的第一壳层、第二壳层和第三壳层，所述量子点核为CdZnSe，所述第一壳层为CdZnSeS，所述第二壳层为ZnSeS，所述第三壳层为CdZnS，所述量子点核的HOMO高于所述第一壳层的HOMO，二者的能级差大于等于0.3eV；所述第一壳层的LUMO与所述量子点核的LUMO能级差小于等于0.2eV；所述第一壳层的HOMO高于所述第二壳层的HOMO，二者的能级差大于等于0.2eV；所述第二壳层的LUMO与所述第一壳层的LUMO的能级差小于等于0.1eV；所述第三壳层的HOMO与所述第二壳层的HOMO的能级差小于等于0.1 eV；所述第三壳层的LUMO比所述第二壳层的LUMO低，二者的能级差大于等于0.2eV。

2.根据权利要求1所述的核壳量子点，其特征在于，所述第一壳层、所述第二壳层和所述第三壳层均为均质的壳层。

3.根据权利要求1所述的核壳量子点，其特征在于，所述量子点核的粒径为3nm~8nm，所述第一壳层的厚度为0.5nm~3nm，所述第二壳层的厚度为0.5nm~3nm，所述第三壳层的厚度为0.5nm~3nm。

4.根据权利要求1所述的核壳量子点，其特征在于，所述核壳量子点的荧光发射峰为470nm~480nm，所述核壳量子点的荧光半峰宽为12nm~18nm。

5.根据权利要求1所述的核壳量子点，其特征在于，所述核壳量子点的光致荧光量子效率大于等于90%。

6.量子点发光二极管，包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层包括权利要求1-5任一所述的核壳量子点。

7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管的外量子效率为12%~15%。

8.量子点组合物，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的核壳量子点。

9.显示器件，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的核壳量子点，或者包括如权利要求6-7任一所述的量子点发光二极管。