[发明专利]电子装置

说明书

本公开提供一种电子装置。该电子装置具有一基底、至少一接触垫以及一重分布层，该至少一接触垫配置在该基底上，该重分布层具有一条状部。该重分布层电性连接该接触垫。该条状部具有至少两个步阶，且每一步阶具有多个波峰及波谷。

交叉引用

本申请要求于2019年06月19日递交的美国正式申请案第16/446,087号的优先权及益处，在此全文引用上述美国正式申请案公开的内容以作为本公开的一部分。

技术领域

本公开涉及一种电子装置。尤其涉及一种具有一重分布层的一电子装置，其中该重分布层具有一条状部。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业已因各种电子元件集成密度的持续提升而经历持续且快速的成长。很大程度上，集成密度的多个所述提升源自于最小特征尺寸(minimum feature size)的重复减小，此使得更多的组件能够整合至给定区域中。由于集成组件所占据的面积主要位于半导体晶片的表面上，多个整合度提升本质上是在二维(two-dimensional，2D)的层面上。尽管光刻的显著改良已导致2D集成电路形成的显著改良，但可在两个维度上达成的密度仍存在物理限制。此等限制之一是制造此等组件所需的最小尺寸。如此的降低规格亦已增加处理与制造ICs的复杂度，且针对这些要实现的进步，是需要在IC制造中的类似发展。

在所追求的更高装置密度中，较佳的效能、较低的成本以及在制造与设计的挑战已导致多层装置的发展。多个所述多层装置可具有多个层间介电层(interlayerdielectric layers，ILDs)、一或多个导线层(wiring layers)以及一或多个穿孔(vias)，多个所述导线层凹陷入多个所述层间介电层，多个所述穿孔夹置在两个导线层之间。然而，当规格持续降低时，由于沿着多个所述层间介电层的多个侧壁的一薄金属沉积，其变得更难形成一确实的穿孔。

上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的目的在于提供一种电子装置，以解决上述至少一个问题。

本公开的一实施例提供一种电子装置。该电子装置包括一基底、至少一接触垫以及一重分布层。该至少一接触垫配置在该基底上。该重分布层包括一条状部，其中该重分布层电性连接该接触垫，该条状部包括至少两个步阶，且每一步阶包括多个波峰与波谷。

依据本公开的一些实施例，该重分布层的每一条状步阶包括一阶高部以及一阶宽部。

依据本公开的一些实施例，该重分布层的该条状部在距接触垫的距离减小的位置处逐渐变细。

依据本公开的一些实施例，每一条状步阶的多个所述波峰之间的一距离在0.5μm到5.0μm之间的范围。

依据本公开的一些实施例，每一条状步阶的多个所述波峰与多个所述波谷之间的一高度在1.0μm到5.0μm之间的范围。

依据本公开的一些实施例，该重分布层大致上为一保形层。

依据本公开的一些实施例，该电子装置，还包括：一钝化层，覆盖该基底以及该接触垫；以及一介电层，配置在该钝化层上。

依据本公开的一些实施例，该重分布层穿经该介电层以及该钝化层。

依据本公开的一些实施例，该钝化层包含氮化硅，且该介电层包含二氧化硅。

依据本公开的一些实施例，该基底包括一半导体晶片。

由于一条状图案以及一侧壁的一逐渐变细的轮廓，可强化在介电层的多个所述侧壁上的重分布层的粘性，由此提升由重分布层所形成的多个所述穿孔的可靠度。