[发明专利]电子装置有效
申请号: | 202010189905.3 | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN112117253B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 施信益 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/538 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包括:
一基底;
至少一接触垫,配置在该基底上;
一重分布层,包括一条状部,其中该重分布层电性连接该接触垫,该条状部包括至少两个条状步阶,且每一条状步阶包括多个波峰与波谷;
一钝化层,覆盖该基底以及该接触垫;以及
一介电层,配置在该钝化层上;
其中,所述介电层与所述钝化层中形成有穿孔,所述重分布层形成于所述穿孔中并延伸至介电层的上表面,所述条状部位于所述穿孔侧壁上,所述多个波峰和波谷沿着所述条状部的延伸方向伸长,所述延伸方向是从所述穿孔侧壁的底部到所述穿孔侧壁的顶部的方向。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中该重分布层的每一条状步阶包括一阶高部以及一阶宽部。
3.如权利要求1所述的电子装置,其中该重分布层的该条状部在距接触垫的距离减小的位置处逐渐变细。
4.如权利要求1所述的电子装置,其中每一条状步阶的多个所述波峰之间的一距离在0.5μm到5.0μm之间的范围。
5.如权利要求1所述的电子装置,其中每一条状步阶的多个所述波峰与多个所述波谷之间的一高度在1.0μm到5.0μm之间的范围。
6.如权利要求1所述的电子装置,其中该重分布层为一保形层。
7.如权利要求1所述的电子装置,其中该钝化层包含氮化硅,且该介电层包含二氧化硅。
8.如权利要求1所述的电子装置,其中该基底包括一半导体晶片。
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