[发明专利]用于改善引线平面性的引线框架稳定器在审

专利信息
申请号: 202010168981.6 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN111696947A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: A·纳瓦雷特纳辛加姆;X·阿罗基亚萨米;T·贝默尔;段珂颜 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 舒雄文
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 改善 引线 平面性 框架 稳定
【权利要求书】:

1.一种封装的半导体器件,包括:

管芯焊盘;

半导体管芯,安装在所述管芯焊盘上;

多个熔融引线,远离所述管芯焊盘的第一侧延伸;

分立引线,所述分立引线远离所述管芯焊盘的所述第一侧延伸并且与所述多个熔融引线物理上分离;

第一电连接,在所述半导体管芯的第一端子与所述分立引线之间;

包封材料,所述包封材料包封所述半导体管芯;以及

稳定杆,连接到所述分立引线的第一外边缘侧,

其中,所述分立引线的所述第一外边缘侧与所述分立引线的面对所述多个熔融引线的第二外边缘侧相对。

2.如权利要求1所述的封装的半导体器件,其中,所述熔融引线和所述分立引线延伸到所述包封材料的第一外侧壁,其中,所述稳定杆延伸到所述包封材料的第二外侧壁,并且其中,所述包封材料的所述第一外侧壁和所述第二外侧壁相对于彼此成角度。

3.如权利要求1所述的封装的半导体器件,其中,在所述分立引线的所述第二外边缘侧与所述多个熔融引线之间设置有跨越所述分立引线的整个长度的间隙。

4.如权利要求1所述的封装的半导体器件,其中,所述稳定杆的厚度小于所述分立引线的厚度。

5.如权利要求4所述的封装的半导体器件,其中,所述稳定杆包括上表面和下表面,所述上表面与所述分立引线的上表面共面,所述下表面从所述分立引线的下表面垂直偏移,并且其中,所述稳定杆的所述下表面被所述包封材料覆盖。

6.如权利要求1所述的封装的半导体器件,还包括连接到所述分立引线的所述第一外边缘侧的第二稳定杆。

7.一种引线框架,包括:

外围结构;

管芯焊盘,包括第一边缘侧,所述第一边缘侧面对所述外围结构的第一边缘侧并与所述外围结构的所述第一边缘侧间隔开;

多个熔融引线,所述多个熔融引线均连接到所述外围结构的所述第一边缘侧,并且均通过在所述外围结构的所述第一边缘侧与所述管芯焊盘之间的位置处的熔丝连接器熔融在一起;

分立引线,所述分立引线连接到所述外围结构的所述第一边缘侧,并与所述熔丝连接器分开;以及

稳定杆,所述稳定杆连接在所述外围结构与所述分立引线的外边缘侧之间。

8.如权利要求7所述的引线框架,其中,所述分立引线包括相对面对的第一外边缘侧和第二外边缘侧,所述第一外边缘侧和所述第二外边缘侧均在第一位置处连接到所述外围结构的所述第一边缘侧,并且其中,所述稳定杆在第二位置处连接到所述分立引线的所述第一外边缘侧,所述第二位置比所述第一位置更靠近所述管芯焊盘。

9.如权利要求8所述的引线框架,其中,所述分立引线包括面对所述管芯焊盘的近端,并且其中,所述第二位置在所述第一位置与所述分立引线的所述近端之间。

10.如权利要求8所述的引线框架,其中,所述分立引线的所述第二外边缘侧面对所述多个熔融引线,并且其中,在所述分立引线的所述第二外边缘侧与所述多个熔融引线之间设置有跨越所述分立引线的整个长度的间隙。

11.如权利要求8所述的引线框架,其中,所述外围结构包括第二边缘侧,所述第二边缘侧与所述第一边缘侧形成成角度的相交,并且其中,所述稳定杆在所述外围结构的所述第二边缘侧与所述分立引线的所述第一外边缘侧之间延伸。

12.如权利要求8所述的引线框架,其中,所述分立引线是连接到所述外围结构的所述第一边缘侧的所有引线中的最外引线,并且其中,所述稳定杆设置在所述分立引线的不面对任何引线的侧上。

13.如权利要求7所述的引线框架,其中,所述引线框架还包括第二稳定杆,所述第二稳定杆连接在所述外围结构与所述分立引线的所述外边缘侧之间。

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