[发明专利]一种新型的LED芯片结构

说明书

本发明公开了一种新型的LED芯片结构，包括晶圆片，晶圆片上包括MESA层、电流阻挡层、透明导电层、金属电极层和钝化层，钝化层由晶圆片从上到下依次由MESA层、电流阻挡层、透明导电层和金属电极层刻蚀而成，晶圆片上左右两侧对称设置有连接线，连接线还包括直线段和曲线段，直线段的上端和下端连接有曲线段，上端曲线段之间连接有圆形圈线，圆形圈线包括上外圈和上内圈，金属电极层和电流阻挡层，直线槽的下端连接有圆形槽，圆形槽包括下内圈和下外圈，下内圈为电流阻挡层，下外圈为钝化层，晶圆片的四个角或四个边任意区域均设置有钝化层。本发明解决不能有效地实现DBR溢镀的卡控，同时实现LED背面颜色不均等异常的卡控的问题。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种新型的LED芯片结构。

背景技术

LED芯片在DBR蒸镀过程中因晶元片本身的翘曲等原因会造成有DBR溢镀到晶元正面的情况。该异常现有的做法是通过AOI光源进行卡控，然而由于受到LED的PV覆盖层的影响，AOI的卡控精度往往不会很理想，为此，我们设计了一种新型的LED芯片结构。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种新型的LED芯片结构，解决不能有效地实现DBR溢镀的卡控，同时实现LED背面颜色不均等异常的卡控的问题。

为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：

一种新型的LED芯片结构，包括晶圆片，所述晶圆片上包括MESA层、电流阻挡层、透明导电层、金属电极层和钝化层，所述钝化层由晶圆片从上到下依次由MESA层、电流阻挡层、透明导电层和金属电极层刻蚀而成，所述晶圆片上左右两侧对称设置有连接线，所述连接线还包括直线段和曲线段，所述直线段的上端和下端连接有曲线段，上端所述曲线段之间连接有圆形圈线，所述圆形圈线包括上外圈和上内圈，所述上外圈为透明导电层，所述上内圈为钝化层，所述晶圆片的中心部设置有直线槽，且直线槽位于两个连接线之间，所述直线槽包括内直线和椭圆线，所述内直线为金属电极层，所述椭圆线为电流阻挡层，所述金属电极层和电流阻挡层，所述直线槽的下端连接有圆形槽，所述圆形槽包括下内圈和下外圈，所述下内圈为电流阻挡层，所述下外圈为钝化层，所述晶圆片的四个角或四个边任意区域均设置有钝化层。

前述的一种新型的LED芯片结构，所述电流阻挡层膜厚在100-5000埃，所述电流阻挡层由MESA层经二氧化硅沉积而成。

前述的一种新型的LED芯片结构，所述透明导电层由电流阻挡层经ITO薄膜沉积而成。

前述的一种新型的LED芯片结构，所述椭圆线设置有多个，且多个椭圆线沿着直线槽的内腔呈等间距分布。

前述的一种新型的LED芯片结构，所述中间支撑装置包括连接杆，所述直线段的上端和下端连接有曲线段，上端两个所述曲线段向相对应的方向弯曲，下端两个所述曲线段向相反方向弯曲。

前述的一种新型的LED芯片结构，上端两个所述曲线段与圆形圈线相连接，下端两个所述曲线段的弯曲弧度小于上端曲线段的弧度。

前述的一种新型的LED芯片结构，所述钝化层的膜厚在300-2000埃。

前述的一种新型的LED芯片结构，所述晶圆片的四个角或四个边任意区域设置的钝化层为任意一种几何形状。

前述的一种新型的LED芯片结构，所述直线槽位于两个直线段之间。

前述的一种新型的LED芯片结构，所述直线槽的底部连接有弧形轮廓线，所述弧形轮廓线的弧度与圆形槽的下外圈的弧度相同，且弧形轮廓线位于下外圈的外侧。