[发明专利]一种新型的LED芯片结构

权利要求书

1.一种新型的LED芯片结构，包括晶圆片（1），其特征在于：所述晶圆片（1）上包括MESA层（11）、电流阻挡层（2）、透明导电层（3）、金属电极层（4）和钝化层（5），所述钝化层（5）由晶圆片（1）从上到下依次由MESA层（11）、电流阻挡层（2）、透明导电层（3）和金属电极层（4）刻蚀而成，所述晶圆片（1）上左右两侧对称设置有连接线（6），所述连接线（6）还包括直线段和曲线段，所述直线段的上端和下端连接有曲线段，上端所述曲线段之间连接有圆形圈线（7），所述圆形圈线（7）包括上外圈和上内圈，所述上外圈为透明导电层（3），所述上内圈为钝化层（5），所述晶圆片（1）的中心部设置有直线槽（9），所述直线槽（9）包括内直线和椭圆线（8），所述内直线为金属电极层（4），所述椭圆线（8）为电流阻挡层（2），所述金属电极层（4）和电流阻挡层（2），所述直线槽（9）的下端连接有圆形槽（10），所述圆形槽（10）包括下内圈和下外圈，所述下内圈为电流阻挡层（2），所述下外圈为钝化层（5），所述晶圆片（1）的四个角或四个边任意区域均设置有钝化层（5）。

2.根据权利要求1所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：所述电流阻挡层（2）膜厚在100-5000埃，所述电流阻挡层（2）由MESA层（11）经二氧化硅沉积而成。

3.根据权利要求1所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：所述透明导电层（3）由电流阻挡层（2）经ITO薄膜沉积而成。

4.根据权利要求1所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：所述椭圆线（8）设置有多个，且多个椭圆线（8）沿着直线槽（9）的内腔呈等间距分布。

5.根据权利要求1所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：所述直线段的上端和下端均连接有曲线段，上端两个所述曲线段向相对应的方向弯曲，下端两个所述曲线段向相反方向弯曲。

6.根据权利要求5所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：上端两个所述曲线段与圆形圈线（7）相连接，下端两个所述曲线段的弯曲弧度小于上端曲线段的弧度。

7.根据权利要求1所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：所述钝化层（5）的膜厚在300-2000埃。

8.根据权利要求1所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：所述晶圆片（1）的四个角或四个边任意区域设置的钝化层（5）为任意一种几何形状。

9.根据权利要求1所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：所述直线槽（9）位于两个连接线（6）之间。

10.根据权利要求1所述的一种新型的LED芯片结构，其特征在于：所述直线槽（9）的底部连接有弧形轮廓线，所述弧形轮廓线的弧度与圆形槽（10）的下外圈的弧度相同，且弧形轮廓线位于下外圈的外侧。