[发明专利]一种钙钛矿光电组件及其封装工艺

权利要求书

1.一种钙钛矿光电组件，其特征在于，所述钙钛矿电池组件从下往上依次为基底、前导电层、前载流子传输层、钙钛矿吸光层、后载流子传输层、阻挡层、背电极层、保护层、胶膜层和上封装玻璃层，在所述前导电层上设置有n-1条切割线槽P1，所述切割线槽P1将前导电层划断，在所述切割线槽P1内填充满与前载流子传输层一样的材料并与前载流子传输层相连接，在所述阻挡层上设置有n-1条切割线槽P2，每条所述切割线槽P2分别位于对应的切割线槽P1一侧，所述切割线槽P2同时将阻挡层、后载流子传输层、钙钛矿吸光层和前载流子传输层划断，在所述切割线槽P2内填充满与背电极层一样的材料并与背电极层相连接，在所述背电极层上设置有n-1条切割线槽P3，每条所述切割线槽P3位于与对应的切割线槽P2同侧且靠近切割线槽P2，所述切割线槽P3同时将背电极层、阻挡层、后载流子传输层、钙钛矿吸光层和前载流子传输层划断，在所述切割线槽P3内填充满与保护层一样的材料并与保护层相连接，所述钙钛矿光电组件在n-1条切割线槽P1、切割线槽P2和切割线槽P3的共同作用下被分割成n个钙钛矿光电子组件。

2.如权利要求1所述的钙钛矿光电组件，其特征在于，所述保护层由有机小分子材料组成，有机小分子材料包括亚芳基二胺衍生物类，咔唑类衍生物、磷氧基衍生物和喹啉酮衍生物中任意一种。

3.如权利要求1所述的钙钛矿光电组件，其特征在于，所述钙钛矿吸光层包括具有ABX₃型结构的卤化物晶体，其中，A为甲胺基、甲脒基、铯中任意一种一价阳离子，B为二价的铅离子或亚锡离子，X为卤素阴离子Cl^-、Br^-、I^-中任意一种。

4.如权利要求3所述的钙钛矿光电组件，其特征在于，在所述钙钛矿吸光层中还含有少量离子掺杂物，离子掺杂物包括胍基阳离子、丁胺基阳离子、苯乙胺基阳离子中任意一种有机胺阳离子，或者包括锂、钠、钾、铷、硼、硅、锗、砷、锑、铍、镁、钙、锶、钡、铝、铟、镓、锡、铊、铅、铋、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、钇、锆、铌、钼、钌、铑、钯、银、镉、铪、钽、钨、铼、锇、铱、铂、金中至少一种无机阳离子，或者还包括硫氰酸根或醋酸根离子阴离子。

5.一种如权利要求1至4中任意一项所述的钙钛矿光电组件的封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、切割、清洗基底；

步骤二、在基底上沉积前导电层并切割，再依次沉积前载流子传输层、钙钛矿吸光层、后载流子传输层、阻挡层并切割；

步骤三、再沉积背电极层并切割；

步骤四、再蒸发沉积保护层；

步骤五、再贴装胶膜层和上封装玻璃，进行层压加工和封装，制成钙钛矿光电组件。