[发明专利]微波集成电路

说明书

一种微波集成电路(1)，包括：半导体基板(3)；多个放大单元，形成在半导体基板中；布线(W3)，形成在除半导体基板上形成的多个层布线(19a‑19d)中的最上面的层布线(19d)和最下面的层布线(19a)以外的一个层布线(19c)中并向多个放大单元供应电力；多个通孔(21a)，连接在该层布线(19c)中形成的多个导电区域(51)，布线被夹在多个导电区域之间，在该层布线(19c)的紧上方和紧下方的两个层布线(19b、19d)中夹着布线的区域中形成的其它导电区域(53、WG)，多个通孔中的每个通孔形成通孔结构，该结构通过多个其他通孔(21b、21d)连接到最下面的层布线的导电区域(55、59)。

技术领域

本公开涉及一种微波集成电路。

背景技术

在现有技术中，已经使用其中集成微波装置的微波集成电路。作为微波集成电路，专利文献1(日本未审查专利公开No.2003-309121)、专利文献2(日本未审查专利公开No.2010-205941)或专利文献3(日本未审查专利公开No.2017-085040)公开一种多层单片微波集成电路(MMIC)，其中绝缘层和布线层被堆叠在半导体基板上，在该半导体基板上形成诸如晶体管的电路元件。根据这种多层MMIC的结构，能够实现电路所占面积的减小。

近年来，在具有上述现有技术中的多层MMIC的结构的微波集成电路中，电路尺寸的减小已经被需求。然而，在现有技术的具有减小的电路尺寸的微波集成电路中，在某些情况下，由于电路单元之间的不充分隔离而在输出信号之间发生振荡。另外，在这种微波集成电路中，为了使晶体管的工作点在具有多级配置的放大电路中是相同的，在某些情况下，对施加给晶体管的偏压的调节被复杂化。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供一种微波集成电路，包括：半导体基板；多个放大单元，该多个放大单元被形成在半导体基板中；电源线，该电源线被形成在半导体基板上形成的多个布线层当中的除了最上面的布线层和最下面的布线层以外的一个布线层中并且被用于向多个放大单元供应电力；以及多个通孔，该多个通孔连接在该一个布线层中形成的其间夹着该电源线的多个导电区域和在该一个布线层的紧上方和紧下方的两个布线层中夹着电源线的区域中形成的其它导电区域，其中，多个通孔中的每个通孔形成通孔结构，该通孔结构通过多个其他通孔连接到最上面的布线层和最下面的布线层中的至少一个。

可替选地，根据本公开的另一方面，提供一种微波集成电路，包括：第一级放大器，该第一级放大器放大具有第一频率的输入高频信号；主系统放大级，该主系统放大级放大并输出从第一级放大器的输出分支的具有第一频率的一个信号；分支级，该分支级通过倍增从第一级放大器的输出分支的具有第一频率的另一信号来生成具有第一频率的双倍频率的信号；以及子系统放大级，该子系统放大级放大并输出从分支级输出的具有双倍频率的信号，其中第一级放大器、主系统放大级、分支级和子系统放大级被集成在公共半导体基板上，并且其中组成第一级放大器的放大电路、分支级中包括的放大电路、主系统放大级中包括的放大电路以及子系统放大级中包括的放大电路以DC方式串联连接在电源和接地之间，并且每一个是电流重用型放大器。

附图说明

图1是根据实施例的微波集成电路1的平面图。

图2是图1的微波集成电路1的横截面图。

图3是图示图1的微波集成电路1的整体电路配置的框图。

图4是图示当从图1的微波集成电路1的前表面侧观察时的电路单元的布置和施加到电路单元的偏压的路径以及在电路单元之间输入/输出的RF信号的图；

图5是图示在图1的微波集成电路1中配置的放大单元的电路配置的电路图；

图6是在垂直于布线W1的形成方向的方向上在布线W1和W3附近的图1的微波集成电路1的横截面图；

图7是在多层布线层5上形成的通孔结构的平面图；