[发明专利]微波集成电路

权利要求书

1.一种微波集成电路，包括：

半导体基板；

多个放大单元，所述多个放大单元被形成在所述半导体基板中；

电源线，所述电源线被形成在所述半导体基板上形成的多个布线层当中的除了最上面的布线层和最下面的布线层以外的一个布线层中，所述电源线被用于向所述多个放大单元供应电力；以及

多个通孔，所述多个通孔连接在所述一个布线层中形成的其间夹着所述电源线的多个导电区域和在所述一个布线层的紧上方和紧下方的两个所述布线层中夹着所述电源线的区域中形成的其它导电区域，

其中，所述多个通孔中的每一个形成通孔结构，所述通孔结构通过多个其他通孔被连接到所述最上面的布线层和所述最下面的布线层中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的微波集成电路，其中，沿着所述电源线的所述多个通孔中的每一个的长度短于与所述微波集成电路所针对的信号波长λ相对应的λ/8的长度。

3.根据权利要求1或2所述的微波集成电路，其中，沿着所述电源线的所述多个通孔的间隔短于与所述微波集成电路所针对的信号波长λ相对应的λ/8的长度。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的微波集成电路，其中，所述多个通孔通过所述最上面的布线层或所述最下面的布线层被接地。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的微波集成电路，

其中，所述半导体基板具有矩形的平面形状，并且在所述矩形的一边上具有信号输入端子并且在与所述一边相邻的另一边上具有信号输出端子，以及

其中，所述信号输入端子和所述信号输出端子通过所述通孔结构被电分离。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的微波集成电路，进一步包括穿透所述多个布线层并且连接所述半导体基板和所述最上面的布线层的多个其他通孔。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的微波集成电路，其中，所述通孔结构进一步包括沿着所述多个其他通孔形成的多个附加通孔，并且所述多个其他通孔和所述多个附加通孔以相对于彼此交错的方式被布置。

8.一种微波集成电路，包括：

第一级放大器，所述第一级放大器被配置成放大具有第一频率的输入高频信号；

主系统放大级，所述主系统放大级被配置成放大并且输出从所述第一级放大器的输出分支的具有所述第一频率的一个信号；

分支级，所述分支级被配置成通过倍增从所述第一级放大器的所述输出分支的具有所述第一频率的另一信号，来生成具有所述第一频率的双倍频率的信号；以及

子系统放大级，所述子系统放大级被配置成放大并且输出从所述分支级输出的具有所述双倍频率的所述信号，

其中，所述第一级放大器、所述主系统放大级、所述分支级和所述子系统放大级被集成在公共半导体基板上，并且

其中，组成所述第一级放大器的放大电路、所述分支级中包括的放大电路、所述主系统放大级中包括的放大电路以及所述子系统放大级中包括的放大电路以DC方式被串联连接在电源和接地之间，并且每一个是包括以AC方式被串联连接在信号输入和信号输出之间的两级晶体管的电流重用型放大器。

9.根据权利要求8所述的微波集成电路，

其中，组成所述主系统放大级的两个放大电路中包括的所述晶体管的尺寸比为3:5，

其中，组成所述子系统放大级的两个放大电路中包括的所述晶体管的尺寸比为8:15，以及

其中，组成所述主系统放大级的所述晶体管的总尺寸与组成所述子系统放大级的所述晶体管的总尺寸之比为32:23。

10.根据权利要求8或9所述的微波集成电路，其中，所述分支级包括两个放大电路和被夹在所述两个放大电路之间的倍频器，并且所述倍频器包括作为非线性元件的场效应晶体管。

11.根据权利要求10所述的微波集成电路，

其中，第一电力被共同供应给所述主系统放大级的所述第一级放大器和所述第一级放大电路，

其中，第二电力被共同供应给所述分支级中包括的所述两个放大电路，

其中，第三电力被共同地供应给所述子系统放大级中包括的放大电路，并且

其中，第四电力被供应给所述主系统放大级的最后一级的放大电路。