[发明专利]图像传感器封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器封装件，其特征在于，包括：

重配置线路结构；

图像传感器芯片，配置于所述重配置线路结构上且具有传感面，其中所述传感面上配置有传感区以及第一导电柱，所述第一导电柱配置在所述传感区旁的周围区域；

盖体，覆盖所述传感区；

包封体，配置于所述重配置线路结构上且包封所述图像传感器芯片与所述盖体的至少部分；及

上部半导体芯片，配置于所述图像传感器芯片上方且所述上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，

其中所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述图像传感器芯片交叠，且

所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述图像传感器芯片与所述上部半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中所述上部半导体芯片包括多个上部半导体芯片，所述多个上部半导体芯片彼此并排地配置在所述包封体上。

3.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，还包括第二导电柱，贯穿所述包封体，且

其中所述上部半导体芯片的主动面上还配置有第二导体，所述第二导体在与所述传感面垂直的方向上不与所述图像传感器芯片交叠，且

所述第二导电柱与所述第二导体接合以电连接所述上部半导体芯片与所述重配置线路结构。

4.根据权利要求3所述的图像传感器封装件，其中所述第二导电柱的高度大于所述第一导电柱的高度。

5.根据权利要求3所述的图像传感器封装件，其中所述第一导电柱与所述第一导体之间的接合面为无焊料接合面，且所述第二导电柱与所述第二导体之间的接合面为无焊料接合面。

6.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中所述第一导电柱与所述第一导体通过熔点低于200℃的接合金属接合。

7.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中所述上部半导体芯片包括逻辑芯片、存储器芯片及人工智能芯片中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的图像传感器封装件，其中所述包封体的侧壁与所述重配置线路结构的侧壁对准。

9.一种图像传感器封装件，包括：

重配置线路结构；

半导体元件，配置于所述重配置线路结构上，所述半导体元件包括图像传感器芯片，所述图像传感器芯片具有传感面，所述传感面上配置有传感区与第一导电柱，所述第一导电柱配置在所述传感区旁的周围区域；

盖体，覆盖所述传感区；

包封体，配置于所述重配置线路结构上且包封所述半导体元件与所述盖体的至少部分；及

上部半导体芯片，配置于所述半导体元件上方且所述上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，

其中所述第一导体在与所述传感面垂直的方向上与所述半导体元件交叠，且

所述第一导电柱与所述第一导体彼此对准并接合以电连接所述半导体元件与所述上部半导体芯片。

10.根据权利要求9所述的图像传感器封装件，其中所述上部半导体芯片包括多个上部半导体芯片，所述多个上部半导体芯片并排地配置在所述半导体元件上方。

11.根据权利要求9所述的图像传感器封装件，还包括第二导电柱，贯穿所述包封体，且

其中所述上部半导体芯片的主动面上还配置有第二导体，所述第二导体在与所述传感面垂直的方向上不与所述半导体元件交叠，且

所述第二导电柱与所述第二导体接合以电连接所述上部半导体芯片与所述重配置线路结构。

12.根据权利要求11所述的图像传感器封装件，其中所述第二导电柱的高度大于所述第一导电柱的高度。