[发明专利]一种像素结构及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202010125895.7 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111200004A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 韩志斌 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本揭示提供一种像素结构及其制备方法以及显示面板。所述像素结构包括基板、第一像素隔堤以及第二像素隔堤。第一像素隔堤,设置于所述基板上,且与所述基板的长边方向相交。第二像素隔堤,跨过所述第一像素隔堤设置于所述基板上,且与所述基板的所述长边方向平行。其中,相邻的两个所述第二像素隔堤之间设置有同一颜色的发光材料,且所述发光材料覆盖部分所述第一像素隔堤上。使像素设计可以兼容MMG方式的Line‑Bank打印,缓解了现有MMG中像素排列方式使打印方式受限的问题。
技术领域
本揭示涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素结构及其制备方法以及显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light emitting Display,OLED)显示器由于其超高对比度,广色域,快速响应,主动发光等优势而逐步成为取代液晶显示的高端显示器。随着OLED显示器以及OLED电视尺寸的不断增大,其相应量产的玻璃基板尺寸也不断增大。为最大化玻璃利用率,需要在同一块玻璃基板上制备不同尺寸的OLED产品,即混合排列(MutiModel Group,MMG)技术。传统混合排列OLED面板和像素排列方式如图1所示,65”和55”两款不同尺寸的OLED面板排列方向相互垂直的排列在同一玻璃基板800上。由于其OLED面板像素排列方式均为子像素长边方向与面板短边方向平行,如图1中的子像素R/G/B的长边方向如箭头方向所示,导致两款不同尺寸的OLED面板的像素排列方向相互垂直。而常用的打印OLED发光材料的方式为在同一bank(隔堤)区域内打印一整条同颜色的子像素,即Line-Bank(线状隔堤)的打印方式。如图1所示,子像素R/G/B分别打印呈一整条。因此,传统混合排列OLED面板和像素排列方式就会使Line-Bank的打印方式受到限制。需要打印完一款产品的OLED面板后,旋转玻璃基板90°再打印另一款产品的OLED面板。这导致了设备成本的增加和生产时间的增加,对量产不利。
因此,现有混合排列OLED面板的像素排列方式使打印方式受限的问题需要解决。
发明内容
本揭示提供一种像素结构及其制备方法以及显示面板,以缓解现有混合排列OLED面板的像素排列方式使打印方式受限的技术问题。
为解决上述问题,本揭示提供的技术方案如下:
本揭示实施例提供一种像素结构,其包括基板、第一像素隔堤及第二像素隔堤。所述第一像素隔堤,设置于所述基板上,且与所述基板的长边方向相交。所述第二像素隔堤,跨过所述第一像素隔堤设置于所述基板上,且与所述基板的所述长边方向平行。其中,相邻的两个所述第二像素隔堤之间设置有同一颜色的发光材料,且所述发光材料覆盖部分所述第一像素隔堤上。
在本揭示实施例提供的像素结构中,所述第一像素隔堤与所述基板的所述长边方向呈45度或135度夹角。
在本揭示实施例提供的像素结构中,所述第二像素隔堤的厚度大于所述第一像素隔堤的厚度。
在本揭示实施例提供的像素结构中,所述基板包括驱动电路以及设置在驱动电路上的像素电极,所述像素电极通过过孔与所述驱动电路连接,且所述过孔均位于所述第一像素隔堤的相对下方。
在本揭示实施例提供的像素结构中,所述像素电极包括位于所述第一像素隔堤和所述第二像素隔堤限定区域内的主电极,以及与所述主电极电性连接且分别位于所述主电极两对角侧的连接电极和桥接电极,所述连接电极通过所述过孔与所述驱动电路连接。
在本揭示实施例提供的像素结构中,所述连接电极和所述桥接电极均位于所述第一像素隔堤的下方,且所述桥接电极与同行且相邻的另一所述像素电极上的所述连接电极间隔设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的