[发明专利]一种像素结构及其制备方法、显示面板在审
申请号: | 202010125895.7 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111200004A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 韩志斌 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
基板;
第一像素隔堤,设置于所述基板上,且与所述基板的长边方向相交;以及
第二像素隔堤,跨过所述第一像素隔堤设置于所述基板上,且与所述基板的所述长边方向平行;
其中,相邻的两个所述第二像素隔堤之间设置有同一颜色的发光材料,且所述发光材料覆盖部分所述第一像素隔堤上。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一像素隔堤与所述基板的所述长边方向呈45度或135度夹角。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述第二像素隔堤的厚度大于所述第一像素隔堤的厚度。
4.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述基板包括驱动电路以及设置在驱动电路上的像素电极,所述像素电极通过过孔与所述驱动电路连接,且所述过孔均位于所述第一像素隔堤的相对下方。
5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极包括位于所述第一像素隔堤和所述第二像素隔堤限定区域内的主电极,以及与所述主电极电性连接且分别位于所述主电极两对角侧的连接电极和桥接电极,所述连接电极通过所述过孔与所述驱动电路连接。
6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述连接电极和所述桥接电极均位于所述第一像素隔堤的下方,且所述桥接电极与同行且相邻的另一所述像素电极上的所述连接电极间隔设置。
7.一种像素结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S10、制备基板,包括提供一衬底,在所述衬底上制备驱动电路,在所述驱动电路上制备像素电极,所述像素电极通过过孔与所述驱动电路连接且所述像素电极之间平行间隔设置,所述像素电极的长边方向与所述基板的长边方向平行;
步骤S20、制备像素隔堤,包括在所述基板上制备第一像素隔堤,在所述基板上制备第二像素隔堤,其中所述第二像素隔堤跨过所述第一像素隔堤,所述第二像素隔堤的厚度大于所述第一像素隔堤的厚度;以及
步骤S30、制备发光层,包括在相邻的所述第二像素隔堤之间涂布同一颜色的发光材料。
8.根据权利要求7所述的像素结构制备方法,其特征在于,在步骤S10中,每个所述像素电极包括呈平行四边形设置的主电极以及分别位于所述主电极两对角侧的连接电极和桥接电极,所述桥接电极与同行且相邻的另一所述像素电极上的所述连接电极间隔设置,且所述主电极内角的角度为45度或135度。
9.根据权利要求8所述的像素结构制备方法,其特征在于,在步骤S20中,所述第一像素隔堤位于所述主电极短边之间的间隔之中,且覆盖所述连接电极和所述桥接电极;所述第二像素隔堤位于所述主电极长边之间的间隔之中。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至6任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的