[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010116241.8 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN111293127B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 唐甲 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 徐世俊
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括衬底层、位于所述衬底层上的遮光金属层和存储电容的第一极板、位于所述衬底层上且覆盖所述遮光金属层和所述第一极板的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层和所述存储电容的第二极板、位于所述缓冲层和所述有源层上的栅绝缘层、以及位于所述栅绝缘层上的源极、栅极和漏极。其中,所述源极和所述漏极的宽度均小于所述有源层的宽度。本发明通过增加有源层导体化面积,使有源层与源极、漏极的边缘接触路径增加,利用有源层导体化时横向扩散现象,使源极、漏极与有源层的边缘接触良率增加,从而大大提升了薄膜晶体管器件的导通特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

目前顶栅结构的薄膜晶体管,结构复杂、膜层较多,导致时间成本和物料成本消耗较高,且良率也带来一定程度的损失,因此需开发制程减少且器件功能较好的顶栅薄膜晶体管。

现有技术采用源极、栅极和漏极同层制备的新制程制备显示面板,与原有的顶栅结构的薄膜晶体管制程数量相比,节省一次金属成膜、光刻、蚀刻以及层间绝缘层,大大节省成本,但由于与原有的顶栅结构的薄膜晶体管制程差异较大,特别是有源层。由于源极、栅极和漏极的材料为低阻抗金属,无法使用干法蚀刻;在湿法蚀刻制程时,金属蚀刻液与有源层持续接触,导致有源层的膜厚、接触阻抗等受损严重;且有源层会受到两次栅绝缘层的干法蚀刻制程处理,也会损伤有源层,会导致源极、漏极与有源层无法导通,从而导致薄膜晶体管器件的功能无法达成。故,有必要改善这一缺陷。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板,用于解决现有技术的显示面板,由于采用源极、栅极和漏极同层制备的技术,在湿法蚀刻制程时,金属蚀刻液与有源层持续接触,导致有源层的膜厚、接触阻抗等受损严重,导致源极、漏极与有源层无法导通,从而导致薄膜晶体管器件的功能无法达成的技术问题。

本发明实施例提供一种显示面板,包括衬底层、位于所述衬底层上的遮光金属层和存储电容的第一极板、位于所述衬底层上且覆盖所述遮光金属层和所述第一极板的缓冲层、位于所述缓冲层上的有源层和所述存储电容的第二极板、位于所述缓冲层和所述有源层上的栅绝缘层、以及位于所述栅绝缘层上的源极、栅极和漏极。其中,所述源极通过第一过孔与所述遮光金属层相连。所述栅绝缘层上设置有第二过孔和第三过孔,所述源极通过所述第二过孔与所述有源层的一侧相连,所述漏极通过所述第三过孔与所述有源层的另一侧相连。其中,所述源极和所述漏极的宽度均小于所述有源层的宽度,所述源极在所述有源层上的投影的边缘与所述第二过孔在所述有源层上的投影的边缘之间的垂直距离的范围为大于0且小于或者等于2微米,所述漏极在所述有源层上的投影的边缘与所述第三过孔在所述有源层上的投影的边缘之间的垂直距离的范围为大于0且小于或者等于2微米。

进一步的,所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。

进一步的,所述显示面板还包括位于所述缓冲层上且覆盖所述第二极板、所述源极、所述栅极和所述漏极的钝化层、位于所述钝化层上且对应于所述显示面板的透光区的色阻层、位于所述钝化层上且覆盖所述色阻层的保护层、位于所述保护层上的像素电极层、以及位于所述保护层和所述像素电极层上的像素定义层,其中,所述像素电极层通过第四过孔与所述源极相连。

进一步的,所述像素定义层的材料为疏水性材料。

进一步的,所述像素定义层的材料为非疏水性材料。

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