[发明专利]一种堆叠式电子结构

权利要求书

1.一种堆叠式电子结构，其特征在于，包括：

一基板，其中多个电子装置以及多个导电柱设置在该基板上并电性连接至该基板，其中一成型体封装该多个电子装置，其中至少一第一凹槽形成在该多个导电柱中的一第一导电柱的一底表面上，以及一焊接材料设置在该基板的上表面上并填充至该至少一第一凹槽中，其中，至少一第二凹槽形成在该多个导电柱中的一第二导电柱的一底表面上，以及一焊接材料设置在该基板的上表面上并填充至该至少一第二凹槽中；以及

一磁性装置，设置在该成型体以及该多个导电柱的上方，其中该磁性装置的一第一电极设置在该第一导电柱的上方并电性连接至该第一导电柱，以及该磁性装置的一第二电极设置在该第二导电柱的上方并电性连接至该第二导电柱。

2.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，该第一导电柱和该第二导电柱均由金属制成。

3.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，该第一导电柱与该第二导电柱分别包括一铜柱。

4.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述第一导电柱的底表面上具有多个第一凹槽，所述焊接材料填充至所述多个第一凹槽中。

5.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述第二导电柱的底表面上具有多个第二凹槽，所述焊接材料填充至所述多个第二凹槽中。

6.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述磁性装置是电感器。

7.根据权利要求6所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述电感器包括一磁性体和设置在所述磁性体中的一线圈，其中，所述电感器的一第一引线设置在所述磁性体上并电性连接至所述线圈，所述第一引线包括设置在所述磁性体的上表面上的一第一部分和延伸设置在所述磁性体的一侧表面上的一第二部分。

8.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述多个电子装置包括IC和MOSFET。

9.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述成型体进一步封装所述多个导电柱，其中每个导电柱的一上表面从所述成型体的上表面露出。

10.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，一第一金属层封装所述多个电子装置，其中所述成型体封装所述多个导电柱和所述第一金属层，其中每个所述导电柱的一上表面和所述第一金属层的一上表面从所述成型体的上表面露出。

11.根据权利要求10所述的堆叠式电子结构，其特征在于，一第二金属层包覆所述磁性装置的上表面和多个侧表面。

12.根据权利要求11所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层通过焊接材料接合。

13.根据权利要求11所述的堆叠式电子结构，其特征在于，该第一金属层电性连接至一第三导电柱。

14.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，该第一导电柱的上表面低于该成型体的上表面以形成一第三凹陷部，该第三凹陷部由该成型体的两个侧壁与该第一导电柱的上表面所形成，其中一焊接材料填充于该第三凹陷部中。

15.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述第一导电柱的上表面高于所述成型体的上表面。

16.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述基板是PCB、BT板、金属基板或陶瓷基板。

17.根据权利要求1所述的堆叠式电子结构，其特征在于，所述第一导电柱和所述第二导电柱中的每一个导电柱包括一铜柱和至少一包覆所述铜柱的金属层。