[发明专利]存储器装置及其制造方法

说明书

本发明公开一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含基底、位线、第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜和接触件。位线设置于基底上方。第一绝缘膜设置于位线的侧壁上。第二绝缘膜设置于第一绝缘膜上，其中第二绝缘膜的材料与第一绝缘膜的材料不同，且第二绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面。第三绝缘膜设置于第二绝缘膜上，其中第三绝缘膜的材料与第二绝缘膜的材料不同，且第三绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面。接触件设置于基底上方且邻近位线，其中接触件具有下部低于第三绝缘膜的顶表面和上部高于第三绝缘膜的顶表面，且接触件的下部的宽度小于接触件的上部的宽度。

技术领域

本发明是关于半导体制造技术，特别是有关于存储器装置及其制造方法。

背景技术

随着半导体装置尺寸的微缩，制造半导体装置的难度也大幅提升，半导体装置的制作工艺期间可能产生缺陷，而这些缺陷可能会造成装置的效能降低或损坏。举例来说，由于尺寸缩减，元件之间的对准变得困难，而容易在装置中产生漏电或短路的问题。因此，必须持续改善半导体装置，以提升良率并改善制作工艺宽裕度。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供存储器装置。此存储器装置包含设置于基底上方的位线(bit line)；设置于位线的侧壁上的第一绝缘膜；设置于第一绝缘膜上的第二绝缘膜，其中第二绝缘膜的材料与第一绝缘膜的材料不同，且第二绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面；设置于第二绝缘膜上的第三绝缘膜，其中第三绝缘膜的材料与第二绝缘膜的材料不同，且第三绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面；以及设置于基底上方且邻近位线的接触件，其中接触件具有下部低于第三绝缘膜的顶表面和上部高于第三绝缘膜的顶表面，且接触件的下部的宽度小于接触件的上部的宽度。

根据本发明的一些实施例，提供存储器装置的制造方法。此方法包含在基底上形成位线；在位线上依序形成第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜，其中第一绝缘膜的材料和第三绝缘膜的材料与第二绝缘膜的材料不同；蚀刻第二绝缘膜的顶部和第三绝缘膜的顶部以露出第一绝缘膜的顶部；在第一绝缘膜的顶部上形成保护膜之后，再次蚀刻第三绝缘膜以降低第三绝缘膜的高度；移除保护膜；再次蚀刻第二绝缘膜以降低第二绝缘膜的高度；以及在基底上方形成接触件邻近位线，其中接触件的下部的宽度小于接触件的上部的宽度。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明之实施例。应注意的是，依据产业上的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。

图1A～图1B是根据一些实施例绘示在制造存储器装置的各个阶段之剖面示意图。

图2A～图2F是根据一些实施例绘示在制造存储器装置的各个阶段之剖面示意图。

符号说明：

100，200：存储器装置

102：基底

104：隔离结构

106，112：绝缘层

108：间隔物

110：位线接触件

114：阻障层

116：位线

118：遮罩层

120：第一绝缘膜

122：第二绝缘膜

124：第三绝缘膜

126：接触插塞

128：保护层

130：凹槽

132：沟槽

134：衬层