[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，所述的存储器装置包括：

一位线，设置于一基底上方；

一第一绝缘膜，设置于所述的位线的一侧壁上；

一第二绝缘膜，设置于所述的第一绝缘膜上，其中所述的第二绝缘膜的材料与所述的第一绝缘膜的材料不同，且所述的第二绝缘膜的一顶表面低于所述的第一绝缘膜的一顶表面；

一第三绝缘膜，设置于所述的第二绝缘膜上，其中所述的第三绝缘膜的材料与所述的第二绝缘膜的材料不同，且所述的第三绝缘膜的一顶表面低于所述的第一绝缘膜的所述的顶表面；以及

一接触件，设置于所述的基底上方且邻近所述的位线，其中所述的接触件具有一下部低于所述的第三绝缘膜的所述的顶表面和一上部高于所述的第三绝缘膜的所述的顶表面，且所述的接触件的下部的宽度小于所述的接触件的上部的宽度。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述的接触件具有阶梯状的侧壁。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述的第三绝缘膜的一顶表面大致上对齐所述的第二绝缘膜的顶表面。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述的第一绝缘膜和所述的第三绝缘膜包括氮化物，且所述的第二绝缘膜包括氧化物。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述的存储器装置更包括一遮罩层设置于所述的位线上，且所述的第一绝缘层、所述的第二绝缘层和所述的第三绝缘层位于所述的遮罩层的侧壁上。

6.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，所述的存储器装置的制造方法包括：

在一基底上形成一位线；

在所述的位线上依序形成一第一绝缘膜、一第二绝缘膜和一第三绝缘膜，其中所述的第一绝缘膜的材料和所述的第三绝缘膜的材料与所述的第二绝缘膜的材料不同；

蚀刻所述的第二绝缘膜的一顶部和所述的第三绝缘膜的一顶部以露出所述的第一绝缘膜的一顶部；

在所述的第一绝缘膜的顶部上形成一保护膜之后，再次蚀刻所述的第三绝缘膜以降低所述的第三绝缘膜的高度；

移除所述的保护膜；

再次蚀刻所述的第二绝缘膜以降低所述的第二绝缘膜的高度；以及

在所述的基底上方形成一接触件邻近所述的位线，其中所述的接触件的一下部的宽度小于所述的接触件的一上部的宽度。

7.如权利要求6所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，所述的接触件的所述的下部低于所述的第三绝缘膜的一顶表面，且所述的接触件的所述的上部高于所述的第三绝缘膜的所述的顶表面。

8.如权利要求6所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，所述的保护层的材料包括碳。

9.如权利要求6所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，所述的第三绝缘膜的再次蚀刻露出所述的第二绝缘膜的侧壁。

10.如权利要求6所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，所述的制造方法更包括在形成所述的接触件之前，在所述的第一绝缘膜和所述的第三绝缘膜上顺应性地形成一衬层。