[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体衬底(10)，所述半导体衬底(10)包括电介质绝缘层(110)以及布置在所述电介质绝缘层(110)的第一侧上的至少第一金属化层(111)，其中，所述第一金属化层(111)包括至少两个区段，每个区段通过凹陷(14)与相邻区段隔开；

半导体主体(20)，布置在所述第一金属化层(111)的所述区段之一上；以及

至少一个凹痕(30)，布置在所述半导体主体(20)的第一侧(L1、L2、B1、B2)和所述第一金属化层(111)的相应区段的最近边缘之间，其中，所述第一侧(L1、L2、B1、B2)与所述第一金属化层(111)的所述区段的所述最近边缘之间的距离(d1、d2)处于0.5mm和5mm之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括下述选项中的至少之一：

至少一个凹痕(30)，布置在所述半导体主体(20)的第二侧(L1、L2、B1、B2)和所述第一金属化层(111)的所述相应区段的最近边缘之间，其中，所述第二侧(L1、L2、B1、B2)与所述第一金属化层(111)的所述区段的所述最近边缘之间的距离(d1、d2)处于0.5mm和5mm之间；以及

至少一个凹痕(30)，布置在所述半导体主体(20)的第三侧(L1、L2、B1、B2)和所述第一金属化层(111)的所述相应区段的最近边缘之间，其中，所述第三侧(L1、L2、B1、B2)与所述第一金属化层(111)的所述区段的所述最近边缘之间的距离(d1、d2)处于0.5mm和5mm之间。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述至少一个凹痕(30)中的每一个的截面具有圆形形状、椭圆形状、矩形形状、方形形状、菱形形状或斜方形形状。

4.根据权利要求1到3中的任何一项所述的半导体装置，其中，所述至少一个凹痕(30)中的每一个在第一方向(x)的最大延伸量(r2)处于300μm和1000μm之间，其中，所述第一方向(x)垂直于所述半导体主体(20)的所述相应侧(L1、L2、B1、B2)和所述第一金属化层(111)的所述相应区段的所述最近边缘。

5.根据权利要求1到4中的任何一项所述的半导体装置，其中，所述第一金属化层(111)具有第一厚度(l1)，并且其中，所述至少一个凹痕(30)中的每一个的深度(l2)处于所述第一金属化层(111)的所述厚度(l1)的60％和100％之间。

6.根据权利要求1到5中的任何一项所述的半导体装置，其中，所述至少一个凹痕(30)中的每一个与所述第一金属化层(111)的所述区段的所述相应边缘之间的距离(d4)处于0mm和3mm之间。

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体装置，其中，所述至少一个凹痕(30)相对于所述半导体主体(20)在所述第二方向(z)的最远边缘缩进，使得所述至少一个凹痕(30)与所述半导体主体(20)在所述第二方向(z)的最远边缘之间的距离(d3)处于所述半导体主体(20)在所述第二方向(z)的最大长度(d5)的10％和30％之间。

8.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体装置，包括多个凹痕(30)，所述多个凹痕(30)处于所述半导体主体(20)的所述第一侧(L1、L2、B1、B2)与所述第一金属化层(111)的所述相应区段的所述最近边缘之间，其中，所述多个凹痕(30)按照一行布置在所述半导体主体(20)的所述第一侧(L1、L2、B1、B2)和所述第一金属化层(111)的所述相应区段的所述最近边缘之间。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述一行凹痕(30)平行于所述半导体主体20的相应侧延伸。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其中，所述一行凹痕(30)中的两个相邻凹痕(30)之间的距离(d6)为至少50μm。