[发明专利]半导体结构形成

说明书

本发明描述与半导体结构形成相关的方法、设备和系统。一种实例方法包含形成穿过形成于半导体衬底上方的硅Si材料中到第一深度的开口以形成Si材料的支柱。所述实例方法进一步包含将隔离材料沉积在所述开口内以填充所述Si支柱之间的所述开口。所述实例方法进一步包含从所述支柱之间移除所述隔离材料的部分到第二深度以在所述支柱之间产生第二开口且界定所述支柱之间的内侧壁。所述实例方法进一步包含在所述支柱的顶部表面上方且沿着所述支柱的所述内侧壁向下到所述隔离材料的顶部部分沉积增强材料。

技术领域

本发明大体涉及半导体装置和方法，且更具体来说，涉及半导体结构的形成。

背景技术

存储器装置通常经提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)及快闪存储器等。一些类型的存储器装置可为非易失性存储器(例如，ReRAM)且可用于需要高存储器密度、高可靠性和低电力消耗的广泛范围的电子应用。与在没有电力的情况下保持其存储状态的非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)相反，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来保持其存储的数据状态(例如，经由刷新过程)。但是，各种易失性存储器单元(例如DRAM单元)可比各种非易失性存储器单元(例如快闪存储器单元)更快操作(例如，编程、读取、擦除等)。

发明内容

在一个方面中，本申请案涉及一种方法，其包括：形成穿过形成于半导体衬底(101；201)上方的硅(Si)材料(102；202)到第一深度(116)的开口(104；204)以形成Si材料(102；202)的支柱(106；206)；将隔离材料(220)沉积在所述开口(204)内以填充所述Si支柱(206)之间的所述开口(204)；从所述支柱(306)之间移除所述隔离材料(320)的部分到第二深度(332)以在所述支柱(306)之间产生第二开口(304)且界定所述支柱(306)之间的内侧壁(310)；及在所述支柱(406)的顶部表面上方且沿着所述支柱(406)的所述内侧壁(410)向下到所述隔离材料(420)的顶部部分(430)沉积增强材料(440)。

在另一方面中，本申请案涉及一种半导体结构，其包括：硅(Si)材料(102)，其形成在衬底材料(101)上；支柱(106)，其形成在所述Si材料(102)内，所述支柱(106)具有形成在所述Si材料(102)内具有第一深度(116)的开口(104)的内侧壁(110)；隔离材料(220)，其最初沉积在所述开口(204)内以填充所述支柱(206)之间的所述开口(204)，其中随后从所述支柱(206)之间移除所述隔离材料(220)的部分以将所述开口的所述第一深度(116)降低到由所述支柱(306)之间的所述内侧壁(310)界定的所述开口的第二深度(332)；及增强材料(440)，其经沉积以在所述支柱(406)的顶部表面上方延伸且沿着所述支柱(406)的所述内侧壁(410)延伸到所述部分被移除的所述隔离材料(420)的顶部部分(424)。

在另一方面中，本申请案涉及一种方法，其包括：形成穿过形成于半导体衬底(101)上方的硅(Si)材料(102)到第一深度(116)的开口(104)以形成Si材料(102)的支柱(106)；将隔离材料(220)沉积在所述开口(204)内以填充所述Si支柱(206)之间的所述开口(204)；从所述支柱(306)之间移除所述隔离材料(320)的部分到第二深度(332)以在所述支柱(306)之间产生第二开口(304)且界定所述支柱(306)之间的内侧壁(310)；及在所述支柱(406)的顶部表面上方且沿着所述支柱(406)的所述内侧壁(410)向下到所述隔离材料(420)的顶部部分(430)沉积增强材料(440)，其中所述增强材料(440)包括以下的一者：非晶硅；非晶锗；非晶硅锗；非晶掺杂硼的硅锗；掺杂磷的a-硅；掺杂砷的a-硅；及掺杂铟的a-硅。

附图说明