[发明专利]半导体结构形成

权利要求书

1.一种方法，其包括：

形成穿过形成于半导体衬底(101；201)上方的硅Si材料(102；202)到第一深度(116)的开口(104；204)以形成Si材料(102；202)的支柱(106；206)；

将隔离材料(220)沉积在所述开口(204)内以填充所述Si支柱(206)之间的所述开口(204)；

从所述支柱(306)之间移除所述隔离材料(320)的部分到第二深度(332)以在所述支柱(306)之间产生第二开口(304)且界定所述支柱(306)之间的内侧壁(310)；及

在所述支柱(406)的顶部表面上方且沿着所述支柱(406)的所述内侧壁(410)向下到所述隔离材料(420)的顶部部分(430)沉积增强材料(440)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括：

最初围绕具有初始高度的所述Si材料(202)沉积所述隔离材料(220)，使得：

所述隔离材料(220)的所述顶部部分定位于所述支柱(206)的顶部部分(224)上方，

所述隔离材料(220)沿着所述支柱(206)的外侧壁(212)从所述隔离材料(220)的所述顶部部分(222)延伸到所述衬底材料(201)，及

所述隔离材料(220)在所述支柱(206)之间的所述开口(204)内沿着所述支柱(206)的所述内侧壁(210)从所述隔离材料(220)的所述顶部部分延伸到所述开口(204)的底部部分(214)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述方法进一步包括：

随后围绕所述Si材料(202)移除所述隔离材料(320)以具有小于所述初始高度的后续高度(334)以形成从所述支柱(306)的所述顶部部分(324)延伸预定距离(332)到所述隔离材料(320)的所述顶部部分(330)的所述支柱(306)的暴露区域(328)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述方法进一步包括沉积所述增强材料(440)使其沿着所述支柱(406)的所述暴露区域(428)定位。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法进一步包括沉积所述增强材料(440)以具有小于在所述支柱(406)的所述内侧壁(410)之间延伸的宽度(444)的一半的预定宽度(442)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述方法进一步包括沉积所述增强材料(440)使其沿着所述隔离材料(420)的所述顶部部分(430)定位且在所述支柱(406)的所述内侧壁(410)之间且在所述支柱(406)的所述外侧壁(412)与所述隔离材料(420)的外侧壁之间在所述隔离材料(420)上方延伸。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述方法进一步包括：

移除沿着在沿着所述支柱的所述内侧壁(552)定位在所述开口(504)内的所述增强材料(540)的外侧壁(550)之间延伸的所述隔离材料(520)的顶部部分(530)的所述增强材料(540)的第一部分；及

移除沿着在沿着所述支柱(506)的所述外侧壁(512)定位的所述增强材料(540)的所述外侧壁(550)与所述隔离材料(520)的所述外侧壁之间延伸的所述隔离材料(520)的所述顶部部分(530)的所述增强材料(540)的第二部分。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述隔离材料(220)包括氧化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述增强材料(440)包括非晶硅、非晶锗、非晶硅锗、非晶掺杂硼的硅锗、掺杂磷的a-硅、掺杂砷的a-硅和掺杂铟的a-硅中的一者。