[发明专利]存储器器件及其操作方法

说明书

存储器器件包括存储器阵列，该存储器阵列包括以行和列布置的多个存储器单元。闭环偏置发生器配置为向存储器阵列输出列选择信号。限流器接收闭环偏置发生器的输出。限流器耦合至存储器阵列的多个列。本发明的实施例还涉及操作存储器器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器器件及其操作方法。

背景技术

存储器器件用于在半导体器件和系统中存储信息。电阻式随机存取存储器(RRAM)单元是非易失性存储器单元，它可基于电阻的变化存储信息。通常，RRAM单元包括其中底部电极、电阻切换层和顶部电极可以顺序地堆叠的存储节点。电阻切换层的电阻根据施加的电压而变化。RRAM单元可以处于电阻不同的多个状态。每个不同的状态可以表示数字信息。可以通过在电极之间施加预定电压或电流来改变状态。只要不执行预定操作，就维持状态。

发明内容

本发明的实施例提供了一种存储器器件，包括：存储器阵列，包括以行和列布置的多个存储器单元；闭环偏置发生器，配置为向所述存储器阵列输出列选择信号；限流器，配置为接收所述闭环偏置发生器的输出，所述限流器耦合至所述存储器阵列的多个列。

本发明的另一实施例提供了一种存储器器件，包括：存储器阵列，包括以行和列布置的多个存储器单元、多条位线、多条源极线和多条字线，所述存储器单元的每列连接至相应的位线和源极线，所述存储器单元的每行连接至相应的字线；多路复用器(MUX)，连接至多个列，所述多路复用器包括连接至相应的源极线的多个第一晶体管，所述第一晶体管具有配置为接收列选择信号的相应的栅极端子；以及限流器晶体管，连接至每个所述第一晶体管。

本发明的又一实施例提供了一种操作存储器器件的方法，包括：提供以行和列布置的多个存储器单元、多条位线、多条源极线和多条字线，所述存储器单元的每列连接至相应的位线和源极线，所述存储器单元的每行连接至相应的字线；提供连接至多个列的多路复用器(MUX)，所述多路复用器包括连接至相应的源极线的多个第一晶体管，所述第一晶体管具有配置为接收列选择信号的相应的栅极端子；将预定的偏置信号输出到限流器晶体管的栅极端子，所述限流器晶体管耦合至所述多路复用器的每个所述第一晶体管；接收列地址；基于所述列地址生成列选择信号；基于接收的所述列地址，将所述列选择信号输出到所述第一晶体管中的一个。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是总体上示出了根据一些实施例的示例性存储器器件的框图，该示例性存储器器件包括可操作地耦合至电阻式存储器单元的阵列和限流器的偏置发生器。

图2是示出根据一些实施例的耦合至示例限流器电路和电阻式存储器单元的阵列的示例偏置发生器电路的电路图。

图3是示出根据一些实施例的耦合至另一示例限流器电路的另一示例偏置发生器电路的电路图。

图4是示出根据一些实施例的耦合至另一示例限流器电路的另一示例偏置发生器电路的电路图。

图5是根据一些实施例的用于偏置耦合至电阻式存储器单元的阵列的限流器的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征不同的实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本发明。当然这些仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个实例中重复参考数字和/或字母。该重复是为了简单的目的，并且其本身不指示讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。