[发明专利]存储器器件及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

存储器阵列，包括以行和列布置的多个存储器单元；

闭环偏置发生器，配置为向所述存储器阵列输出列选择信号；

限流器，配置为接收所述闭环偏置发生器的输出，所述限流器耦合至所述存储器阵列的多个列并且包括连接的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的共源共栅；并且

其中，所述闭环偏置发生器还配置为钳位所述限流器的所述第二NMOS晶体管的漏极-源极电压。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个存储器单元是电阻式随机存取存储器单元。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，还包括连接至所述存储器阵列的所述列的列多路复用器(MUX)，所述列多路复用器包括配置为用作列选择晶体管的所述限流器中的所述第一NMOS晶体管。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述列多路复用器包括多个所述列选择晶体管，其中，每个列连接至相应的一个所述列选择晶体管，并且其中，所述第二NMOS晶体管耦合至每个所述列选择晶体管。

5.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述闭环偏置发生器包括共源共栅连接的第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管以及运算放大器，所述运算放大器配置为接收反馈信号并且配置为生成输出到列多路复用器的列选择信号。

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述闭环偏置发生器还包括：

电压输入端子，连接至所述第三NMOS晶体管的源极和所述第四NMOS晶体管的栅极，

其中，所述第三NMOS晶体管的漏极和所述第四NMOS晶体管的源极连接至所述运算放大器的反相输入，

其中，所述运算放大器的非反相输入配置为接收预定的钳位电压，并且

其中，所述运算放大器的输出连接至所述第三NMOS晶体管的栅极。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述运算放大器的输出连接至所述第一NMOS晶体管的栅极，并且所述第三NMOS晶体管的源极连接至所述第二NMOS晶体管的栅极。

8.根据权利要求5所述的存储器器件，其中，所述第二NMOS晶体管和所述第四NMOS晶体管是IO晶体管。

9.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，所述钳位电压小于500毫伏(mV)。

10.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个存储器单元是电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。

11.一种存储器器件，包括：

存储器阵列，包括以行和列布置的多个存储器单元、多条位线、多条源极线和多条字线，所述存储器单元的每列连接至相应的位线和源极线，所述存储器单元的每行连接至相应的字线；

多路复用器(MUX)，连接至多个列，所述多路复用器包括连接至相应的源极线的多个第一晶体管，所述第一晶体管具有配置为接收列选择信号的相应的栅极端子；以及

限流器晶体管，连接至每个所述第一晶体管。

12.根据权利要求11所述的存储器器件，还包括偏置发生器，所述偏置发生器配置为将预定的栅极控制电压信号输出到所述限流器晶体管的栅极端子并且将所述列选择信号输出到所述第一晶体管的所述栅极端子。

13.根据权利要求12所述的存储器器件，其中，所述偏置发生器包括配置为接收预定的钳位电压的运算放大器。