[发明专利]放射线图像探测器及其制作方法有效
申请号: | 202010072176.3 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111261648B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 顾铁;黄忠守 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 李晓霞 |
地址: | 200135 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 图像 探测器 及其 制作方法 | ||
本发明实施例提供一种放射线图像探测器及其制作方法。放射线图像探测器包括:基板;位于基板上的光学图像探测器包括光敏像素组成的阵列;光敏像素包括第一电极层,光电转换层,第二电极层;第一电极层包括和光电转换层直接接触的第一接触面,第二电极层包括和光电转换层直接接触的第二接触面;光电转换层包括中心区域和边墙区域,中心区域包括第一接触面和第二接触面在光电转换层的正投影的重叠部分,边墙区域为除中心区域以外的区域;相邻的光敏像素之间具有沟壑区;放射线转换层;像素化的聚光结构位于光敏像素和放射线转换层之间,将本来要进入沟壑区和边墙区域的可见光汇聚到中心区域。本发明能够提升入射光的利用率,同时提升图像质量。
技术领域
本发明涉及探测器技术领域,尤其涉及一种放射线图像探测器及其制作方法。
背景技术
平板式X射线图像探测器已经被广泛应用于数字化医疗诊断和放射线治疗的实时监控。与传统的X光胶片相比,这种平板式图像探测器具有快捷、低成本、低曝光量、高图像质量等优点,并且便于数据的存储,发送和运算,能够融入数字化医疗系统中。
在现有技术的一种图像探测器中,设置有放射线转换层和可见光图像探测器。首先放射线通过放射线转换层的作用,将放射线转换成可见光;然后可见光图像探测器中的光电转换器件将可见光转换成电信号,并且输出给外部电路,最终实现图像的探测。目前的图像探测器仍然存在图像拖尾、图像不稳定、图像背景噪声等问题,影响探测图像质量。
发明内容
本发明实施例提供一种放射线图像探测器及其制作方法,能够提升图像探测器对光线的利用率,同时改善图像拖尾、图像不稳定、图像背景噪声等问题,提升图像质量。
第一方面,本发明实施例提供一种放射线图像探测器,包括:
基板;
位于基板上的光学图像探测器,光学图像探测器包括复数个周期性排列的光敏像素所组成的阵列;
其中,光敏像素包括第一电极层,光电转换层,第二电极层;
第一电极层包括和光电转换层直接接触的第一接触面,第二电极层包括和光电转换层直接接触的第二接触面;
光电转换层包括中心区域和边墙区域,中心区域包括第一接触面和第二接触面在光电转换层的正投影的重叠部分,边墙区域包括光电转换层的除了中心区域以外的区域;
阵列中,相邻的光敏像素之间具有一定宽度的不对光线敏感的沟壑区;
放射线转换层,位于光学图像探测器的远离基板一侧,将放射线转换成可见光;
像素化的聚光结构,位于光敏像素和放射线转换层之间,将本来要进入沟壑区和边墙区域的可见光汇聚到中心区域。如上所述的方面和任一可能的实现方式,进一步提供一种实现方式,
基于同一发明构思,第二方面,本发明实施例提供一种放射线图像探测器的制作方法,用于制作本发明任意实施例提供的放射线图像探测器,制作方法包括:在光敏像素之上制作像素化的聚光结构,包括:
在光敏像素之上制作一定厚度的-胶状或者液状的有机材料层;
将有和聚光结构成反向结构的并且可以透过UV光的模具覆盖在上有机材料层上,并保持一定压力;
从模具的远离有机材料层的一侧照射UV光,将胶状或者液状的有机材料层做部分固化;
分离模具,在预设温度下对已经部分固化的聚光结构进一步硬化成型。
基于同一发明构思,第三方面,本发明实施例提供一种放射线图像探测器的制作方法,用于制作本发明任意实施例提供的放射线图像探测器,制作方法包括:在光敏像素之上制作像素化的聚光结构,包括:
在光敏像素之上制作一定厚度的有机材料层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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