[发明专利]放射线图像探测器及其制作方法有效
申请号: | 202010072176.3 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN111261648B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 顾铁;黄忠守 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 李晓霞 |
地址: | 200135 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 图像 探测器 及其 制作方法 | ||
1.一种放射线图像探测器,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板上的光学图像探测器,所述光学图像探测器包括复数个周期性排列的光敏像素所组成的阵列;
其中,所述光敏像素包括第一电极层,光电转换层,第二电极层;
所述阵列中,相邻的所述光敏像素之间具有一定宽度的不对光线敏感的沟壑区;
第一绝缘层覆盖所述第二电极层的边缘,所述第一绝缘层设置在所述第二电极层和所述光电转换层之间,所述第二电极层未被所述第一绝缘层覆盖的部分与所述光电转换层直接接触而形成第二接触面;
所述第一电极层直接覆盖在所述光电转换层上并且其接触面形成第一接触面,所述第一电极层的边缘向其中心内缩;
所述光电转换层在所述基板上的正投影包括中心区域和边墙区域,所述中心区域包括所述第一接触面和所述第二接触面在所述光电转换层的正投影的重叠部分,所述边墙区域包括所述光电转换层的除了所述中心区域以外的区域;
所述沟壑区中填充有第二绝缘层,所述第二绝缘层向所述中心区域延伸并覆盖所述边墙区域内的光电转换层以及所述第一电极层的边缘;
放射线转换层,位于所述光学图像探测器的远离所述基板一侧,将放射线转换成可见光;
像素化的聚光结构,位于所述光敏像素和所述放射线转换层之间,将本来要进入所述沟壑区和所述边墙区域的所述可见光汇聚到所述中心区域。
2.根据权利要求1所述的放射线图像探测器,其特征在于,
所述聚光结构包括第一部分和第二部分,在垂直于所述基板的方向上,所述第一部分与所述中心区域交叠,所述第二部分与所述边墙区域和所述沟壑区交叠;
所述第一部分在垂直于所述基板的方向上的厚度基本相同,所述第二部分在垂直于所述基板的方向上的厚度沿着所述中心区域向所述沟壑区的方向,逐渐变小。
3.根据权利要求2所述的放射线图像探测器,其特征在于,
所述聚光结构的第二部分的最大厚度为H,所述边墙区域的宽度为W2,所述沟壑区的宽度为W3,其中,H大于或等于0.5*(W2+W3),且H小于或等于(W2+W3)。
4.根据权利要求1所述的放射线图像探测器,其特征在于,
在所述沟壑区和所述边墙区域,相邻的两个所述聚光结构和所述放射线转换层之间形成间隙;
所述放射线图像探测器还包括:填充单元,所述填充单元用于填充所述间隙的至少部分区域。
5.根据权利要求4所述的放射线图像探测器,其特征在于
所述填充单元的材料对于所述可见光的折射率为n1,所述聚光结构的材料对于所述可见光的折射率为n2,其中,n1n2。
6.根据权利要求4所述的放射线图像探测器,其特征在于,
所述填充单元包括不透过所述可见光的材料。
7.根据权利要求1所述的放射线图像探测器,其特征在于,
所述放射线图像探测器还包括:多个导电部和多条相互电连接的电压母线,所述电压母线用于向所述第一电极层施加电压信号,所述导电部和所述电压母线均位于所述光学图像探测器靠近所述聚光结构的一侧;
在垂直于所述基板的方向上,所述电压母线与所述沟壑区交叠,所述光敏像素中的所述第一电极层通过所述导电部与所述电压母线电连接。
8.根据权利要求2所述的放射线图像探测器,其特征在于,
所述第二部分为环形凸透镜,所述环形凸透镜的焦点位于所述中心区域内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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