[发明专利]一种探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种探测器的制作方法，其特征在于，包括：

在SOI衬底上形成第一介质层；

将所述第一介质层刻蚀至所述SOI表面，形成凹槽；

在所述凹槽内形成探测层；

在所述第一介质层和所述探测层上形成非晶硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述非晶硅层上形成第二介质层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第一介质层刻蚀至所述SOI表面，形成凹槽，具体包括：

采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一预设深度的第一凹槽，所述第一预设深度小于所述第一介质层的厚度；

采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽底部进行刻蚀，形成第二预设深度的第二凹槽，所述第一预设深度与所述第二预设深度之和等于所述第一介质层厚度，所述第一凹槽与所述第二凹槽合为所述凹槽。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成探测层，具体包括：

在所述凹槽内形成厚度大于所述第一介质层的探测层；

对所述探测层进行平坦化处理，使所述探测层的上表面与所述第一介质层平齐。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在SOI上形成第一介质层之前，还包括：

形成所述SOI衬底，所述SOI衬底包括由下至上的硅衬底、埋氧层、顶硅层；

对所述顶硅层进行掺杂处理，以在所述顶硅层上形成本征区域、位于所述本征区域一侧的N型轻掺杂区、位于所述本征区域另一侧的P型轻掺杂区域、位于所述N型轻掺杂区域远离本征区域一侧的N型重掺杂区域以及位于所述P型轻掺杂区域远离所述本征区域一侧的P型重掺杂区域，所述探测层位于所述本征区域的正上方。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

从所述第二介质层上开设到达所述SOI衬底表面的第一通孔和第二通孔，且所述第一通孔与所述N型重掺杂区域相抵接，所述第二通孔与所述P型重掺杂区域相抵接；

向所述第一通孔与所述第二通孔中均填充导电材料，分别形成第一导电插塞和第二导电插塞；

在所述第一导电插塞和所述第二导电插塞的上表面分别沉积金属薄膜，形成第一接触电极和第二接触电极。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一介质层和所述探测层上形成非晶硅层具体包括：

采用低压力化学气相沉积工艺在所述第一介质层和所述探测层上形成非晶硅层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为10nm-100nm。.

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层均为二氧化硅层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述探测层具体为锗层或者锗硅层。

11.一种探测器，其特征在于，包括：

SOI衬底；

所述SOI衬底表面中部的探测层以及所述中部之外的第一介质层；

位于所述探测层和所述第一介质层上的非晶硅层。