[发明专利]热处理系统有效
申请号: | 202010046344.1 | 申请日: | 2020-01-16 |
公开(公告)号: | CN112786482B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 崔致久;李殷廷;金成基 | 申请(专利权)人: | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭辉剑;龚慧惠 |
地址: | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 系统 | ||
1.一种热处理系统,其特征在于,包括:
外壳,所述外壳包括围墙,所述围墙具有进口和多个出口,所述围墙的所述多个出口具有彼此不同的直径;
多个阀门设置在所述围墙的外表面上,其中所述多个阀门中的每个相应地联接到所述围墙的所述多个出口;
加热器分布在所述围墙的内表面上;
处理室设置在所述围墙内;
温度传感器设置于所述处理室内;
盖子配置为密封所述处理室;以及
冷却单元耦合到所述围墙的所述进口,所述冷却单元具有进口和出口;
其中,所述围墙的所述多个出口是在所述围墙上形成的孔,最靠近所述围墙的所述进口的孔具有所述孔中最小直径,而距所述围墙的所述进口最远的孔具有所述孔中最大直径。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,其中,所述冷却单元更包括:
阀门布置在所述冷却单元的所述进口上;以及
致动器与所述进口上的所述阀门耦合,以控制所述进口上的所述阀门的开度。
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,其中,所述围墙的所述多个出口包括四个孔,所述四个孔的第一孔和第二孔的直径为10mm,所述四个孔的第三孔的直径为15mm,以及所述四个孔的第四孔的直径为20mm。
4.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,其中,所述围墙的所述多个出口包括四个孔, 所述四个孔的第一孔和第二孔分别用于排放所述围墙中25%的气流,所述四个孔的第三孔用于排放所述围墙中20%的气流,以及所述四个孔的第四孔用于排放所述围墙中30%的气流。
5.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,其中,所述多个阀门在来自所述围墙的所述进口的气流压力至少为10kpa时被触发。
6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,其中,所述多个阀门是蝶阀门。
7.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,更包括:
多个管道,所述多个管道布置在所述多个出口和所述多个阀门之间,以相应地将所述多个出口耦合至所述多个阀门。
8.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,其中,所述多个阀门中与所述围墙的所述进口最近的阀门具有最小尺寸的阀门,而所述多个阀门中距所述围墙的所述进口最远的阀门具有最大尺寸的阀门。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造