[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包含以下步骤：

在半导体衬底的通孔内与第1面侧成膜第1绝缘膜，所述半导体衬底具有所述第1面及位于所述第1面的相反侧的第2面，在所述第2面侧设置着包含配线电路的电路衬底，且从所述第1面朝向第2面具有所述通孔；

在所述通孔内与所述第1面侧成膜被覆性比所述第1绝缘膜差的第2绝缘膜；以及

通过各向异性蚀刻去除所述通孔底部的所述第1绝缘膜、或所述通孔内的底部的第1绝缘膜及所述通孔内的底部的第2绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1绝缘膜是在250℃以下通过等离子体CVD法成膜，

所述第2绝缘膜是在250℃以下通过等离子体CVD法成膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述通孔的深宽比(通孔深度/通孔直径)小于2.8。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述通孔的通孔直径为10μm以上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1绝缘膜是在包含原硅酸四乙酯气体、含氧气体及含NH基气体的气氛中成膜，

所述第2绝缘膜是在包含甲硅烷气体、含氧气体及含NH基气体的气氛中成膜，

通过改变所述原硅酸四乙酯气体及所述甲硅烷气体的供给量来切换所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜的成膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1绝缘膜与所述半导体衬底相接，所述第2绝缘膜与所述第1绝缘膜的相对于和所述半导体衬底相接的面为相反侧的面相接，或者

所述第2绝缘膜与所述半导体衬底相接，所述第1绝缘膜与所述第2绝缘膜的相对于和所述半导体衬底相接的面为相反侧的面相接。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中交替地成膜所述第1绝缘膜与第2绝缘膜，

所述第1绝缘膜或/及所述第2绝缘膜成膜2层以上。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其不进行利用光刻法的抗蚀剂加工，而通过各向异性蚀刻去除所述通孔底部的所述第1绝缘膜、或所述通孔内的底部的第1绝缘膜及所述通孔内的底部的第2绝缘膜。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第1面仅残留所述第1绝缘膜或所述第2绝缘膜中的一种膜。

10.一种半导体装置的制造方法，包含以下步骤：在半导体衬底的通孔内与第1面侧，于包含原硅酸四乙酯气体、含氧气体及含NH基气体的气氛中，在250℃以下通过等离子体CVD法成膜第1绝缘膜，所述半导体衬底具有所述第1面及位于所述第1面的相反侧的第2面，在所述第2面侧设置着包含配线电路的电路衬底，且从所述第1面朝向第2面具有所述通孔；

在所述通孔内及所述第1面侧，于包含甲硅烷气体、含氧气体及含NH基气体的气氛中，在250℃以下通过等离子体CVD法成膜第2绝缘膜；以及

通过各向异性蚀刻去除所述通孔底部的所述第1绝缘膜、或所述通孔内的底部的第1绝缘膜及所述通孔内的底部的第2绝缘膜，此时在所述第1面仅残留所述第1绝缘膜或所述第2绝缘膜中的一种膜。