[发明专利]具有增加的对比率的LED封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光二极管，包括顶部发光表面、相对定位的底部表面、以及连接顶部和底部表面的侧表面；

波长转换结构，包括顶部发光表面、相对定位的底部表面、以及连接顶部和底部表面的侧表面，波长转换结构底部表面设置在发光二极管顶部表面上或相邻于发光二极管顶部表面；

反射结构，包括设置在所述发光二极管的侧表面上和磷光体结构的侧表面上的反射材料，所述反射结构包括相邻于并平行于所述波长转换结构的顶部表面布置的平坦顶部表面；和

光吸收层，定位在所述反射结构的平坦顶部表面上，至少部分地包围所述波长转换结构的顶部表面，并且通过间隙与所述波长转换结构的顶部表面的外边缘分开，所述间隙具有垂直于所述波长转换结构的侧表面测量的至少30微米的宽度。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射结构的平坦顶部表面与所述波长转换结构的顶部发光表面共面。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述波长转换结构的顶部发光表面相对于所述反射结构的平坦顶部表面凹陷。

4.根据权利要求3所述的发光器件，包括设置在所述波长转换结构的顶部发光表面上的透明层。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中与所述波长转换结构相对的所述透明层的外表面与所述反射结构的平坦顶部表面共面。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述间隙的宽度在30微米和60微米之间。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述波长转换结构是陶瓷磷光板或包括陶瓷磷光板。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光吸收层包括分散在粘合剂中的光吸收材料。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射材料包括SiO₂颗粒、Al₂O₃颗粒、和TiO₂颗粒中的至少一种或多种。

10. 根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述反射结构的平坦顶部表面与所述波长转换结构的顶部发光表面共面；以及

所述间隙的宽度在30微米和60微米之间。

11.根据权利要求1所述的发光器件，包括设置在所述波长转换结构的顶部发光表面上的透明层；其中：

所述波长转换结构的顶部发光表面相对于所述反射结构的平坦顶部表面凹陷；

与所述波长转换结构相对的所述透明层的外表面与所述反射结构的平坦顶部表面共面；以及

所述间隙的宽度在30微米和60微米之间。

12.一种制作发光器件的方法，所述方法包括：

提供包括发光二极管和波长转换结构的磷光体转换发光二极管，所述磷光体转换发光二极管具有顶部发光表面、相对定位的底部表面、以及连接顶部和底部表面的侧表面；

用反射材料覆盖所述顶部发光表面和所述侧表面；

去除反射材料以暴露所述顶部发光表面并且形成相邻于且平行于所述顶部发光表面的所述反射材料的平坦顶部表面；以及

在所述反射材料的平坦顶部表面上沉积光吸收层，所述光吸收层至少部分地包围所述顶部发光表面，并且所述光吸收层通过间隙与所述顶部发光表面的外边缘分开，所述间隙具有垂直于侧表面测量的至少30微米的宽度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中

所述磷光体转换发光二极管包括设置在所述波长转换结构上的牺牲透明层；

所述顶部发光表面是透明层的表面；以及

去除反射材料包括研磨和平坦化所述反射材料和牺牲层，以产生与光反射材料的平坦顶部表面共面的所述波长转换结构的新的平坦顶部发光表面。