[发明专利]用于结合的选择性单层掺杂的方法和设备

权利要求书

1.一种用于形成掺杂半导体特征结构的方法，包括以下步骤：

使用选择性单层掺杂(SMLD)工艺在材料层上沉积一种浓度的掺杂剂，所述选择性单层掺杂工艺包括将所述掺杂半导体特征结构暴露于含有掺杂剂的气体混和物，以选择性地在所述材料层上沉积所述浓度的掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

变化所述气体混合物的暴露持续时间或所述气体混合物中的掺杂浓度以控制所述材料层上的所述浓度的掺杂剂的密度。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

使用所述SMLD工艺使所述浓度的掺杂剂顺应于所述材料层的表面而保形。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：将所述浓度的掺杂剂退火以将所述浓度的掺杂剂扩散进入所述材料层。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括以下步骤：

重复所述方法以增加所述材料层中的所述浓度的掺杂剂。

6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括以下步骤：变更退火的温度以改变所述浓度的掺杂剂进入所述材料层的渗透深度。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括以下步骤：

变更所述浓度的掺杂剂的沉积的持续时间，以增加所述浓度的掺杂剂中的活性掺杂剂的量。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

沉积包含p型掺杂剂物质或n型掺杂剂物质的一种浓度的掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述p型掺杂剂物质包括硼或镓，并且所述n型掺杂剂物质包含砷或磷。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在半导体结构的源极/漏极的形成中结合所述SMLD工艺。

11.一种用于在基板上形成掺杂半导体特征结构的方法，所述基板具有带非介电性能的第一材料和带介电性能的第二材料，所述方法包括以下步骤：

使用含有多种浓度的掺杂剂的气体来浸泡所述基板，所述气体选择性地在所述第一材料的第一表面上而不是在所述第二材料的第二表面上形成单层的所述掺杂剂；和

将所述基板退火以将所述掺杂剂扩散进入所述第一材料中。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：

变化气体浸泡持续时间、气体浸泡压力、气体浸泡流量或气体浸泡掺杂剂浓度以控制掺杂剂扩散参数。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：

在至少一个循环周期中变更退火的温度的同时重复所述方法，以改变所述掺杂剂进入所述第一材料的渗透深度。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括以下步骤：

在至少一个循环周期中变更气体浸泡持续时间、气体浸泡压力、气体浸泡流量或气体浸泡掺杂剂浓度的同时重复所述方法，以变更所述第一材料的所述第一表面上的掺杂剂的量。

15.一种用于在基板上形成掺杂半导体特征结构的方法，所述基板具有带非介电性能的第一材料和带介电性能的第二材料，所述方法包括以下步骤：

使用含有多种浓度的掺杂剂的气体来浸泡所述基板，所述气体选择性地在所述第一材料的第一表面上而不是在所述第二材料的第二表面上形成单层的所述掺杂剂；

将所述基板退火以将所述掺杂剂扩散进入所述第一材料中；和

在至少一个循环周期中变更气体浸泡持续时间、气体浸泡压力、气体浸泡流量或气体浸泡掺杂剂浓度的同时重复所述方法，以变更所述第一材料的所述第一表面上的掺杂剂的量，并且在至少一个循环周期中变更退火的温度的同时重复所述方法，以改变所述掺杂剂进入所述第一材料的渗透深度。