[发明专利]半导体装置和使用其的电力转换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

第一导电型的SiC基板，

在所述SiC基板的第一主面形成且具有比所述SiC基板的杂质浓度低的杂质浓度的第一导电型的外延层，

在所述SiC基板的与所述第一主面相对的第二主面形成的漏极区域，

在所述外延层形成的第二导电型的第一主体层和第二主体层，

在所述第一主体层中形成的第一导电型的第一源极区域，

与作为被所述第一主体层和所述第二主体层夹着的所述外延层的JFET区域和所述第一主体层相接，且具有比所述外延层的杂质浓度高的杂质浓度的第一导电型的第一第一区域，

在所述JFET区域形成的第二导电型的第二区域，

在所述第一源极区域、所述第一主体层和所述第一第一区域中延伸而形成的第一沟槽，

在所述第一沟槽的内壁形成的绝缘膜，和

在所述第一沟槽的所述绝缘膜上形成的栅极电极。

2.如权利要求1所述的半导体装置，具有：

在所述第二主体层形成的第一导电型的第二源极区域，

与所述JFET区域和所述第二主体层相接且比所述外延层的杂质浓度高的第一导电型的第二第一区域，和

在所述第二源极区域、所述第二主体层和所述第二第一区域中延伸而形成的第二沟槽；

所述绝缘膜形成于所述第二沟槽的内壁，所述栅极电极形成在所述第二沟槽的所述绝缘膜上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第一主体层和所述第二主体层、所述第一源极区域和所述第二源极区域、所述第一第一区域和所述第二第一区域在俯视时具有条纹图案，

通过所述第一沟槽和所述第二沟槽的直线与所述条纹图案的长度方向交差。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

以覆盖所述第一第一区域和所述第二第一区域、所述JFET区域和所述第二区域的方式，具有第二导电型的第三区域。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第二区域形成得比所述第一第一区域和所述第二第一区域更深。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

在所述第二区域的正下方具有第一导电型的第四区域，该第一导电型的第四区域具有比所述外延层的杂质浓度高的杂质浓度。

7.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第二区域具有在所述条纹图案的长度方向延伸的条纹图案。

8.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第二区域在被所述第一沟槽和所述第二沟槽夹着的区域中在俯视时形成为岛状。

9.如权利要求2所述的半导体装置，具有：

形成于所述第一主体层且具有比所述第一主体层的杂质浓度高的杂质浓度的第二导电型的第一第五区域，

形成于所述第二主体层且具有比所述第二主体层的杂质浓度高的杂质浓度的第二导电型的第二第五区域，

与所述第一源极区域、所述第一第五区域、所述第二源极区域和所述第二第五区域连接的源极电极。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述第二区域与所述源极电极连接。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，

所述源极电极与所述第二区域周边的所述JFET区域相接。

12.一种电力转换装置，具有：

电源电位，

基准电位，

负荷输入电位，

连接于所述电源电位和所述负荷输入电位之间的第一开关元件，

连接于所述基准电位和所述负荷输入电位之间的第二开关元件，和

控制所述第一开关元件和所述第二开关元件的控制电路；

作为所述第一开关元件和所述第二开关元件，使用权利要求1～11中任一项所述的半导体装置。