[发明专利]高功率光泵浦半导体盘形激光器的宽带有源反射镜架构在审
| 申请号: | 201980061374.5 | 申请日: | 2019-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN112753145A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
| 发明(设计)人: | 曼苏尔·谢赫·巴哈;亚历山大·罗伯特·阿尔布雷克特;Z·扬 | 申请(专利权)人: | 新墨西哥大学雨林创新 |
| 主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183 |
| 代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;徐婕超 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 光泵浦 半导体 激光器 宽带 有源 反射 镜架 | ||
披露了一种垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)和一种形成VECSEL的方法。该VECSEL包括:热沉;散热器或散热器,该散热器形成在该热沉的顶表面上,其中该散热器包括具有第一折射率的第一材料;以及高对比度光栅,该高对比度光栅形成在该散热器或有源区的顶表面上,其中该高对比度光栅包括有源区,并且该高对比度光栅包括具有第二折射率的第二材料,该第二折射率大于该第一折射率。
本申请要求于2018年9月19日提交的美国临时申请62/733,466的优先权权益,该美国临时申请的全部内容特此通过援引并入本文。
本发明是在空军科学研究所(Air Force Office of Scientific Research)提供的在政府支持下以批准号FA9550-16-1-0362做出的。政府拥有本发明的某些权利。
技术领域
本教导总体上涉及半导体激光器,更具体地涉及光泵浦半导体盘形激光器的高功率连续波(CW)和数千瓦输出功率操作。
背景技术
光泵浦半导体激光器(OPSL)(也称为垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)或半导体盘形激光器(SDL))已迅速成为用于各种应用的高功率、束品质良好的源。与其他固态盘形激光器或光纤激光器不同,半导体激光器可以被设计成在较大的波长范围内操作,这是其他技术难以实现的。然而,与光纤激光器和盘形激光器的若干kW相比,VECSEL的输出功率被限制在约100W。输出功率的一个限制因素是热管理。VECSEL有源反射镜典型地由处于外腔内的分布式布拉格反射器(DBR)顶部的半导体有源区构成(通常是量子阱(QW))。图1示出了传统高功率VECSEL 100的设置。VECSEL 100包括激光二极管102,该激光二极管产生波长为例如810nm并且功率为例如70W的激光束。透镜104引导激光束以泵浦位于DBR 106顶部的有源/增益区。VECSEL 100的激光腔由距DBR 106的顶表面和外反射镜108的距离限定。来自有源区的热量通过DBR 106传导出去而到典型地由金刚石构成的散热器(heat spreader),并且到由耦合层112耦合的热沉110(heat sink)。DBR 106由交替的高折射率半导体层和低折射率半导体层形成(通常,超过20对并且总厚度超过5微米),以达到所需的反射率值。这种厚度和大量的材料界面导致DBR 106中的热阻高,从而导致有源区过热,最终限制输出功率。通过吸收在有源区中未被吸收的泵浦功率,还可能在DBR 106中产生附加热量。
图2示出了常规无DBR SDL 200的设置。无DBR SDL 200包括由反射镜202和反射镜204限定的激光腔。泵浦激光206提供在有源区207中被吸收的光能,并且热沉208将热量从无DBR SDL 200传导出去。无DBR SDL消除了对DBR的需要和热限制。但是由于其传输几何形状,它们必须依赖于散热器210中的侧向热传送,从而限制了它们的功率可扩展性。而且,因为散热器210是激光腔的一部分,所以该散热器必须具有极高的纯度,以避免过多的光学损失。
已经提出高对比度光栅(HCG)充当仅使用相对薄的高折射率材料层的高反射镜,该高折射率材料层被横向图案化(典型地,成条纹图案)。通过控制光栅和基底材料(折射率、厚度)、光栅设计(蚀刻深度、周期性、占空比),可以定制HCG的反射率,以执行各种任务(包含用作激光反射镜)。针对垂直腔表面发射激光器以及VECSEL已经提出和/或证明了这样的结构,其中硅光栅被沉积在金刚石散热器顶部。图3示出了使用HCG的三个激光器。然而,应注意,在所有情况下,散热器都位于激光腔内,从而导致与上文关于无DBR SDL所述类似的顾虑。在这种激光器装置中使用的HCG是具有极窄带宽的所谓的导模谐振(GMR)类型。
需要一种解决上述问题的改进的激光器设计。
发明内容
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