[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，具备：

多个第一布线层，在第一方向上延伸，沿着与所述第一方向交叉的第二方向排列；

多个第二布线层，在与所述第一方向及所述第二方向交叉的第三方向上设置于所述多个第一布线层的上方，在所述第一方向上排列，在所述第二方向上延伸；

多个第一层叠结构体，在所述多个第二布线层与所述多个第一布线层的交叉部分，配置于所述第二布线层与所述第一布线层之间，包含第一存储单元；

第二层叠结构体，与所述多个第一布线层在所述第二方向上相邻，沿着所述第二方向排列，与所述第二布线层相接触；以及

绝缘层，设置于所述多个第一层叠结构体之间以及所述多个第二层叠结构体之间，

所述第二层叠结构体的杨氏模量比所述绝缘层的杨氏模量大。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第一层叠结构体具备第一电极，

所述第二层叠结构体具备第二电极。

3.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，还具备：

第一绝缘层，设置于所述多个第一层叠结构体之间；以及

第二绝缘层，设置于所述多个第二层叠结构体之间，

在所述第二方向上，在最接近所述第二层叠结构体的所述多个第一层叠结构体中的一个第一层叠结构体、与最接近所述第一层叠结构体的所述多个第二层叠结构体中的一个第二层叠结构体之间，设置有所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

4.根据权利要求3所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第二绝缘层的杨氏模量比所述第一绝缘层的杨氏模量大。

5.根据权利要求3所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第二层叠结构体具备收缩率比所述第一绝缘层的收缩率小的膜。

6.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，具备：

多个第一导电层，与所述多个第一布线层在所述第二方向上相邻，与所述第一布线层设置于同一层，沿着所述第二方向排列，

所述第二层叠结构体设置于所述第二布线层与所述第一导电层之间。

7.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，具备：

多个第三布线层，在所述第三方向上设置于所述多个第二布线层的上方，在所述第一方向上延伸；

第三层叠结构体，在所述多个第三布线层与所述多个第二布线层的交叉部分，配置于所述第三布线层与所述第二布线层之间，包含第二存储单元；以及

第四层叠结构体，与所述第三层叠结构体在所述第二方向上相邻配置，与所述第三布线层相接触。

8.根据权利要求6所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第一导电层不与所述第二布线层以外的任一布线层连接。

9.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其中，

所述第二层叠结构体具备与包含所述第一存储单元的所述第一层叠结构体相同的层叠结构。

10.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置，其中，具备：

第二导电层，以与所述第二布线层相邻的方式与所述多个第二布线层配置于同一平面上，

所述第四层叠结构体在所述第二导电层与所述第三布线层的交叉部分配置于所述第三布线层与所述第二导电层之间。