[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

说明书

本发明提供一种技术，具有：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其对处理室内供给处理气体；第一等离子体单元，其设置为卷绕在处理室的外周，并在处理室内生成处理气体的等离子体；以及第二等离子体单元，其设置为在处理室的上部向内部突出，并在处理室内生成处理气体的等离子体。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序。

背景技术

伴随着以大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit：以下记为LSI)、DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机访问存储器)、闪存(Flash Memory)等为代表的半导体装置的高集成化，电路图案的微细化程度得以发展。在半导体装置的制造工序中，作为实现微细化的处理，有时进行应用等离子体的处理。例如有专利文献1所述的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015－092533号公报

发明内容

发明所要解决的课题

伴随着微细化，要求对基板面内均匀地进行处理，但是有时无法将进行了激活的气体向基板面内均匀地供给。在这种情况下，难以在基板面内形成均匀的膜。

本公开的目的是在基板面内形成均匀的膜。

用于解决课题的方案

根据一个方案，提供一种技术，具有：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其对上述处理室内供给处理气体；第一等离子体单元，其设置为卷绕在上述处理室的外周，并在上述处理室内生成上述处理气体的等离子体；以及第二等离子体单元，其设置为在上述处理室的上部向内部突出，并在上述处理室内生成上述处理气体的等离子体。

发明的效果

根据本公开的技术，能够在基板面内形成均匀的膜。

附图说明

图1是本公开第一实施方式的基板处理装置的概要结构图。

图2是本公开第一实施方式的基板处理装置的控制器的概要结构图。

图3是本公开第一实施方式的表示基板处理工序的流程图。

图4是本公开第一实施方式的基板处理工序的时序例。

图5是本公开第二实施方式的基板处理装置的概要结构图。

具体实施方式

以下对本公开的实施方式进行说明。

＜第一实施方式＞

以下参照附图对本公开的第一实施方式进行说明。

(1)基板处理装置的结构

首先，对本公开第一实施方式的基板处理装置进行说明。

对本实施方式的基板处理装置100进行说明。基板处理装置100例如是绝缘膜形成单元，且如图1所示那样构成为单张式基板处理装置。