[发明专利]MEMS器件的制造方法以及MEMS器件

说明书

本发明提供能够抑制器件部的损伤的MEMS器件的制造方法以及MEMS器件。谐振装置(1)的制造方法包括：从第二基板(350)的下表面侧照射激光LL，以便沿上表面形成有器件部的第一基板(330)与上表面经由接合部(60)与第一基板(330)的下表面接合的第二基板(350)的分割线(LN1、LN2)在第二基板(350)的内部形成改性区域(MA2)的工序S306；以及对改性区域(MA2)施加应力并沿分割线(LN1、LN2)来分割第一基板(330)以及第二基板(350)的工序S307，接合部(60)沿分割线(LN1、LN2)而形成，以遮挡激光(LL)。

技术领域

本发明涉及MEMS器件的制造方法以及MEMS器件。

背景技术

以往，使用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统)技术制造出的器件正在普及。该器件例如在集合基板(晶片)形成多个器件后，分割晶片而被单片化为各器件(芯片化)。

作为分割晶片的激光加工方法，例如已知具备如下的工序的方法，在具有基板15和设置于基板15的表面的层叠部17a、17b的加工对象物1的基板15的内部对准聚光点来照射激光，在基板15的内部形成改性区域7，通过该改性区域7，沿加工对象物1的切断预定线从加工对象物1的激光入射面在规定距离内侧形成切断起点区域的工序；以及在形成切断起点区域后，从层叠部17a、17b侧对加工对象物1施加应力，从而沿切断预定线来切断加工对象物1的工序(参照专利文献1)。在该激光加工方法中，从加工对象物1的背面21侧照射激光，在基板15的内部形成改性区域7，之后，从加工对象物1的表面3侧照射激光，在层叠部17的内部形成改性区域7。

专利文献1:日本特开2007－83309号。

然而，在引用文献1的方法中，例如从表面3侧照射的激光在作为加工对象物1的晶片(基板)中，一部分透过到与入射侧相反侧的面。其结果为，在晶片的相反侧的面形成器件部的一部分，例如电极焊盘等的情况下，未被晶片吸收的激光有可能损伤形成于与入射面相反侧的面的器件部。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供能够抑制器件部的损伤的MEMS器件的制造方法以及MEMS器件。

本发明的一个方面所涉及的MEMS器件的制造方法包括：从第二基板的第二主面侧照射激光以便沿第一基板与第二基板的分割线在第二基板的内部形成改性区域的工序，其中，在第一基板的第一主面形成器件部，第二基板的第一主面经由接合部与第一基板的第二主面接合；以及对改性区域施加应力而沿分割线分割第一基板以及第二基板的工序，接合部沿分割线而形成，以遮挡激光。

本发明的另一个方面所涉及的MEMS器件具备：第一基板，在第一主面形成器件部；以及第二基板，第一主面经由接合部与第一基板的第二主面接合，接合部的材料是相对于第一基板以及第二基板具有透过性的能够遮挡激光的金属。

根据本发明，能够抑制器件部的损伤。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的制造方法的流程图。

图2是表示图1所示的工序的剖视图。

图3是表示图1所示的工序的剖视图。

图4是表示图1所示的工序的剖视图。

图5是表示图4所示的第一基板的俯视图。

图6是表示图1所示的工序的剖视图。

图7是表示所示的工序的剖视图。

图8是表示所示的工序的剖视图。

图9是示意性地表示本发明的第一实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。