[发明专利]掺杂技术

权利要求书

1.一种形成电子装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在包括半导体材料的第一表面上选择性地沉积掺杂剂膜，所述第一表面相对于包括氧化物材料的第二表面，所述掺杂剂膜基本上是共形的；和

对所述电子装置退火以将掺杂剂原子从所述掺杂剂膜驱入到所述半导体材料中，以形成共形地掺杂的半导体材料而基本上没有掺杂剂原子被驱入到所述氧化物材料中。

2.如权利要求1所述的方法，其中选择性地沉积所述掺杂剂膜是使用非视线性沉积处理来实行。

3.如权利要求2所述的方法，其中选择性地沉积所述掺杂剂膜包括热分解处理。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述热分解处理包括在约600℃至约900℃的范围的温度下将所述第一表面和所述第二表面暴露于硼前驱物，并且所述掺杂剂膜包括硼。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述硼前驱物包括硼烷、乙硼烷、三硼烷、四硼烷、或五硼烷中的一种或多种。

6.如权利要求4所述的方法，其中退火在大约1000℃至大约1300℃的范围的温度下发生。

7.如权利要求4所述的方法，其中所述掺杂剂膜具有大约2至大约10个单层的范围内的厚度。

8.如权利要求4所述的方法，其中所述掺杂剂原子被驱入到所述半导体材料中至大于或等于约1nm的深度。

9.如权利要求4所述的方法，其中所述共形地掺杂的半导体材料在所述半导体材料的所述第一表面处具有大于或等于约2²⁰atoms B/cm³的掺杂剂浓度。

10.如权利要求4所述的方法，其中所述共形地掺杂的半导体材料在所述第一表面处具有大于或等于约5²⁰atoms B/cm³的掺杂剂浓度。

11.一种形成电子装置的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有第一表面和第二表面的基板，所述第一表面包括半导体材料，所述第二表面包括氧化物材料；

将所述第一表面和所述第二表面在大约700℃至大约800℃的范围的温度下暴露于硼前驱物，以通过非视线性、热分解处理来选择性地沉积共形掺杂剂膜，所述共形掺杂剂膜沉积在所述第二表面之上的所述第一表面上，所述共形掺杂剂膜包括硼；和

在约1150℃至约1200℃的范围内的温度以毫秒退火对所述电子装置退火，以将硼原子从所述共形掺杂剂膜驱入至所述半导体材料，使得所述半导体材料被共形地掺杂，而基本上没有掺杂剂原子被驱入至所述氧化物材料中。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述硼前驱物包括硼烷(BH₃)、乙硼烷(B₂H₆)、氯硼烷(BH₂Cl)、三甲基硼烷(B(CH₃)₃)、或三乙基硼烷(B(C₂H₅)₃)中的一种或多种。

13.一种形成电子装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在晶体半导体材料上形成非晶掺杂剂层；

在所述非晶掺杂剂层上沉积附加的半导体材料，所述附加的半导体材料基本上是非晶的；和

使所述电子装置退火以使所述附加的半导体材料结晶以形成掺杂的晶体半导体材料。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述晶体半导体材料包括硅。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述晶体半导体材料进一步包括锗。