[发明专利]含腐蚀抑制剂的清洗组合物

权利要求书

1.一种有效清洗微电子装置衬底的清洗组合物，所述清洗组合物包含：

水，

碱，以提供至少8的pH，

清洗化合物，以及

选自以下各者的腐蚀抑制剂：胍官能化合物、吡唑酮官能化合物和羟基喹啉化合物。

2.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述腐蚀抑制剂选自：

选自双氰胺、甲脒脲、胍盐和胍基乙酸的胍官能化合物，

选自2-甲基-3-丁炔-2-醇、3-甲基-2-吡唑啉-5-酮、3-甲基-1-4-(磺基苯基)-2-吡唑啉-5-酮、3-甲基-1-对甲苯基-5-吡唑酮的吡唑酮官能化合物，以及

选自以下各者的羟基喹啉化合物：8-羟基喹啉、8-羟基喹啉-2-甲酸、5-氯7-碘-喹啉-8-醇、5,7-二氯-2-[(二甲氨基)甲基)喹啉-8-醇、8-羟基喹啉-4-甲醛、8-羟基喹啉-4-甲醛-肟、8-羟基喹啉-5-磺酸单水合物

3.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述碱选自：氢氧化胆碱、氢氧化四乙基铵、氢氧化四甲基铵、季铵化合物和其组合。

4.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述清洗组合物为烷醇胺。

5.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述腐蚀抑制剂为鸟嘌呤。

6.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述腐蚀抑制剂为双氰胺、甲脒脲硫酸盐或胍基乙酸。

7.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述腐蚀抑制剂为双氰胺。

8.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述腐蚀抑制剂为2-甲基-3-丁炔-2-醇、3-甲基-2-吡唑啉-5-酮，例如3-甲基-1-4磺基苯基)-2-吡唑啉-5-酮或3-甲基-1-对甲苯基-5-吡唑酮。

9.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述腐蚀抑制剂为2-甲基-3-丁炔-2-醇。

10.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述腐蚀抑制剂为8-羟基喹啉。

11.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述清洗溶液为含有少于80重量％水的浓缩物。

12.根据权利要求1所述的清洗组合物，其中所述清洗溶液为含有至少10重量％水的使用组合物。

13.根据权利要求1所述的清洗组合物，其包含选自吗啉、L-半胱氨酸、羟乙基纤维素、聚乙烯吡咯烷酮、多元胺、二醇醚和其组合的二级清洗组合物。

14.根据权利要求1所述的清洗组合物，其包含选自草酸、丁二酸、L-酒石酸和其组合的二级腐蚀抑制剂。

15.根据权利要求1所述的清洗组合物，其包含螯合剂、氧化剂、表面活性剂、氧气清除剂、溶剂、聚合物和缓冲剂中的一或多者。

16.一种清洗微电子装置衬底的方法，所述方法包含：

提供清洗组合物，

提供微电子装置衬底，以及

使所述微电子装置衬底的表面与所述清洗组合物接触。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述衬底的所述表面包括残余物，且所述方法有效地去除至少70％所述残余物。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述残余物选自CMP后残余物、蚀刻后残余物和灰化后残余物。

19.根据权利要求16所述的方法，其中所述残余物包括选自以下的经暴露金属：钴、铜，和钴和铜两者。

20.根据权利要求19所述的方法，其中与使用相同衬底和工艺且利用除了不含双氰胺、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3-甲基-2-吡唑啉-5-酮或这些中两者或更多者的组合之外都相同的清洗组合物发生的腐蚀量相比，清洗期间发生的铜、钴或两者的腐蚀量减少。