[发明专利]含金属硬掩模薄膜的选择性生长在审
| 申请号： | 201980043731.5 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112368804A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 大卫·查尔斯·史密斯;乔恩·亨利;丹尼斯·M·豪斯曼;保罗·C·莱曼利 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/768;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 硬掩模 薄膜 选择性 生长 | ||
1.一种方法，其包括：
提供图案化半导体衬底，其在待蚀刻的下伏材料上具有分隔开的特征；
用可灰化填充物填充所述特征之间的空间，使得所述特征的顶部水平表面暴露，且所述特征的侧壁接触所述可灰化填充物；
在填充所述特征之间的所述空间后，相对于所述可灰化填充物在所述特征的所暴露的所述顶部水平表面上选择性地沉积含金属硬掩模；以及
相对于所述特征和所述含金属硬掩模移除所述可灰化填充物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述特征之间的所述填充，以形成平坦表面，所述平坦表面包含所述特征的所述顶部水平表面和所述可灰化填充物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述特征之间的所述填充物通过旋涂来完成。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述旋涂通过以下方式执行：注入含碳流体混合物至所述图案化半导体衬底上，然后进行热固化。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述特征之间的所述填充通过旋涂后进行平坦化以暴露所述特征的所述顶部水平表面来完成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述特征之间的所述填充通过等离子体增强化学气相沉积来完成。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述特征之间的所述填充还包括在所述离子体增强化学气相沉积后对所述图案化半导体衬底进行平坦化。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，通过等离子体增强化学气相沉积进行的所述填充包括将所述特征暴露于具有化学式CxHy的烃前体，其中X是介于2与10之间且包括2和10的整数，Y是介于2与24之间且包括2和24的整数。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述含金属硬掩模的所述选择性沉积通过一或更多个循环的原子层沉积来执行。
10.一种装置，其包括：
处理室，其包括喷头和衬底支撑件；
等离子体产生器；以及
控制器，其具有至少一个处理器和存储器，
其中，所述至少一个处理器与所述存储器相互通信连接，
所述至少一个处理器至少与流动控制硬件操作性地连接，且
所述存储器存储机器可读指令，所述机器可读指令用于：
致使含碳沉积前体的流动的导入并且致使第一等离子体的生成；
在致使所述含碳沉积前体的导入后，致使所述含碳沉积前体的所述流动的停止；以及
在停止所述含碳沉积前体的所述流动后，致使含硅前体流与含钨前体流的时间上分开的脉冲的导入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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