[发明专利]玻璃装置的制造方法以及玻璃装置

说明书

能够更简便地提供具有玻璃厚度为300μm以下的薄玻璃基板的玻璃装置。在玻璃装置的制造方法中，在玻璃基板(10)中形成一个以上的贯通孔(40)，并经由贯通孔(40)将玻璃基板的第一面上的第一布线(14)和第二面上的第二布线(15)连通起来。在形成第一布线(14)以后，通过蚀刻形成贯通孔(40)并且使玻璃基板(10)变薄，然后形成贯通孔(40)内的布线和第二布线(15)，变薄后的玻璃基板(10)的厚度为50μm以上300μm以下，贯通孔(40)的形状为圆锥台形状。

技术领域

本发明涉及具有使用了贯通孔的玻璃基板的玻璃装置的制造方法、以及玻璃装置。

背景技术

以往，例如，作为LSI(Large-Scale Integration，大规模集成)的封装技术，已知有使用了硅贯通电极(TSV：Through Silicon Via)的封装技术。具有贯通电极的硅基板被广泛用作(例如)内插器(interposer)。内插器是将端子间距离不同的基板(例如布线设计规则彼此不同的IC(Integrated Circuit，集成电路)及印刷基板)相互接合起来的基板。

如非专利文献1中所记载地，当在硅基板上形成TSV时，已知有在形成晶体管等元件或电极等电路的步骤之前或之后或者该步骤期间形成TSV的方法。

在此，不仅硅基板价格高，而且硅是半导体。因此，在TSV技术中，需要在硅基板上形成贯通孔之后进行绝缘处理，存在有基板成本增大的问题。因此，例如，为了减少内插器的成本，在廉价且大面积的玻璃基板中形成有贯通孔(TSV：Through Silicon Via)的附有贯通电极的玻璃基板受到了关注。

当采用附有贯通电极的玻璃基板时，在TGV技术中需要在玻璃基板中形成贯通孔。作为在玻璃基板中形成贯通孔的技术，例如，如专利文献1中所记载地，已知有通过脉冲振荡YAG激光的照射来形成贯通孔的技术。

此外，专利文献2记载了在感光性玻璃基板中形成细微孔的方法。在专利文献2所记载的方法中，将光掩模配置于感光性玻璃基板上的预定位置处并采用紫外线进行照射以形成潜像。接下来，对感光性玻璃基板进行热处理以使潜像结晶。随后，通过激光在形成有潜像的部分的中心处形成比潜像小的加工孔。接下来，使用氟化氢进行蚀刻，将结晶的部分选择性地蚀刻掉，从而形成了孔。

此外，专利文献3记载了一种通过在平板玻璃的两侧彼此面对的相同轴线上的一对上下芯钻头以在平板玻璃中形成孔的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-61667号公报

专利文献2：日本特开2001-105398号公报

专利文献3：日本特开昭54-126215号公报

非专利文献

非专利文献1：吉永孝司、野村捻，“3次元LSI実装のためのTSV技術の研究開発の動向”(用于3维LSI封装的TSV技术的研究开发的进展)，科学技術動向，科学技術·学術政策研究所，2010年4月，No.10

发明内容

发明所要解决的课题

由于在玻璃基板中形成贯通孔，因而玻璃基板的机械强度可能会降低。特别地，当采用厚度为300μm以下的玻璃时，由于机械强度降低的影响，在形成电路等导电部时，在输送过程中可能会发生玻璃破裂，难以进行玻璃基板的处理。

另外，在TSV技术中，作为在硅基板中形成贯通孔的方法，已经建立了采用干式蚀刻的博世(Bosch)工艺等方法。但是，通过干式蚀刻在玻璃基板中形成贯通孔需要很长时间，难以被认为具有实用性。特别地，在玻璃厚度为300μm以下的贯通孔的形成、以及在以内插器为代表的电子装置基板中的应用具有非常高的技术难度，难以被认为具有实用性。