[发明专利]MEMS型半导体式气体检测元件在审
| 申请号： | 201980030786.2 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN112088305A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 三桥弘和;堂上长则 | 申请（专利权）人： | 新宇宙电机株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 半导体 气体 检测 元件 | ||
1.MEMS型半导体式气体检测元件，其是具有MEMS结构且对氢气进行检测的MEMS型半导体式气体检测元件，
所述MEMS型半导体式气体检测元件具备：
基板、
设置于所述基板且将金属氧化物半导体作为主成分的气体感应部、
对所述气体感应部进行加热的加热部、
具有氢选择透过性且形成于所述气体感应部的外侧的非活性膜、和
形成于所述非活性膜的外侧且抑制所述气体感应部劣化的保护膜。
2.根据权利要求1所述的MEMS型半导体式气体检测元件，其特征在于，所述保护膜以抑制所述气体感应部的对于氢气的响应特性和/或响应恢复特性的经时劣化的方式构成。
3.根据权利要求1所述的MEMS型半导体式气体检测元件，其特征在于，所述保护膜含有氧化铝、或者包含铝和硅的复合氧化物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的MEMS型半导体式气体检测元件，其特征在于，所述非活性膜形成于所述气体感应部的一部分。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的MEMS型半导体式气体检测元件，其特征在于，所述非活性膜形成于所述气体感应部的外表部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的MEMS型半导体式气体检测元件，其特征在于，所述保护膜是将氧化铬或氧化钯担载于由包含铝和硅的复合氧化物形成的载体而成的。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的MEMS型半导体式气体检测元件，其特征在于，所述非活性膜包含具有硅氧烷键的二氧化硅膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新宇宙电机株式会社，未经新宇宙电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980030786.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：聚乙烯及其氯化聚乙烯
- 下一篇：具有输入前馈的Δ-Σ回路滤波器
