[发明专利]具有易失性存储器特征的非易失性存储器装置及系统及其操作方法

说明书

本发明提供存储器装置、包含存储器装置的系统及操作存储器装置及系统的方法，其中非易失性存储器阵列的至少一子集经配置以通过在电力条件变化的事件(例如电力损耗事件、断电事件或通电事件)中擦除或消减数据来用作易失性存储器。在本技术的一个实施例中，提供一种存储器装置，其包括非易失性存储器阵列及电路系统，所述电路系统经配置以：存储所述非易失性存储器阵列的一或多个地址；检测所述存储器装置的电力条件变化；及响应于检测到所述电力条件变化而擦除或消减所述一或多个地址处的数据。

相关申请案

本申请案含有涉及由蒂莫西B.考尔斯(Timothy B.Cowles)、乔纳森S.帕里(Jonathan S.Parry)、乔治B.拉德(George B.Raad)及詹姆斯S.雷迈尔(JamesS.Rehmeyer)同时申请的标题为“具有只读存储器特征的非易失性存储器装置及系统及其操作方法(NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS WITH READ-ONLY MEMORYFEATURES AND METHODS FOR OPERATING THE SAME)”的美国专利申请案的标的物。相关申请案被转让给美光科技公司(Micron Technology,Inc.)且通过档案号010829-9321.US00识别。其标的物以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器装置，且更特定来说，涉及具有易失性存储器特征的非易失性存储器装置及系统及其操作方法。

背景技术

存储器装置广泛用于存储与例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置相关的信息。存储器装置常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。包含随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器需要外加电源来维持其数据。相比之下，非易失性存储器可在无外部供电的情况下保持其存储的数据。非易失性存储器可用于各种技术中，其包含快闪存储器(例如NAND及NOR)、相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)等。改进存储器装置一般可包含提高存储器胞元密度、提高读取/写入速度或以其它方式减少操作延时、提高可靠性、增加数据保持、减少电力消耗或降低制造成本及其他度量。

附图说明

图1是示意性说明根据本技术的实施例的存储器装置的框图。

图2是说明根据本技术的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。

图3是说明根据本技术的实施例的操作存储器装置的方法的流程图。

具体实施方式

非易失性存储器装置由于其在缺少外加电力的情况下的持久性而常用于存储数据。随着非易失性存储器技术的最新进展改进非易失性存储器的速度及成本，非易失性存储器装置正越来越多用于除存储之外的应用中。举例来说，随着非易失性存储器装置改进到其可提供类似于易失性存储器装置的速度及/或耐久性的点，其可越来越多代替易失性存储器装置用于提供高速缓存、主存储器或满足其它传统易失性存储器应用。

尽管即使在缺少外加电力的情况下持久性存储数据通常被认为是非易失性存储器技术的益处，但在先前由易失性存储器装置执行的应用中使用非易失性存储器装置会产生新忧虑。举例来说，由于存储器的易失性性质，可依赖提供其中可临时存储(例如，可能以明文或非加密格式)例如密码、财务信息、医疗信息等的敏感信息的许多高速缓存或主存储器、使其中易失性存储器装置存储此敏感数据的系统掉电作为对物理地存取数据的防御。然而，随着非易失性存储器装置在这些角色中代替易失性存储器装置，对系统的物理存取可例如通过中断到系统的电力及移除其上仍可存储敏感数据的非易失性存储器装置来准许对数据的未授权存取的途径。