[发明专利]具有易失性存储器特征的非易失性存储器装置及系统及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

非易失性存储器阵列；及

电路系统，其经配置以：

存储所述非易失性存储器阵列的一或多个地址；

检测所述存储器装置的电力条件变化；及

响应于检测到所述电力条件变化而擦除所述一或多个地址处的数据。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电力条件变化是通电事件、断电事件或电力损耗事件。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路系统经配置以将所述一或多个地址存储于所述存储器装置的一次写入多次读取WORM存储器中。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述电路系统进一步经配置以：

响应于在所述存储器装置处接收的命令而将所述一或多个地址写入到所述一次写入多次读取WORM存储器。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述一次写入多次读取WORM存储器包括熔丝阵列、反熔丝阵列或其组合。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路系统经配置以将所述一或多个地址存储于所述存储器装置的模式寄存器中。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括能量存储机构。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述能量存储机构包括电容器、电池、燃料电池或其组合。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述能量存储机构具有足以在所述擦除所述一或多个地址处的数据的持续时间内提供电力的能量存储容量。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述非易失性存储器阵列包括NAND快闪、NOR快闪、MRAM、FeRAM、PCM或其组合。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中单个半导体裸片包括所述非易失性存储器阵列及所述电路系统。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中存储器控制器裸片包括所述电路系统，且存储器裸片包括所述非易失性存储器阵列。

13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路系统经配置以通过消减所述一或多个地址处的数据来擦除所述一或多个地址处的所述数据。

14.一种操作包含非易失性存储器阵列的存储器装置的方法，所述方法包括：

用所述存储器装置存储所述非易失性存储器阵列的一或多个地址；

检测所述存储器装置的电力条件变化；及

响应于所述检测而擦除所述非易失性存储器的所述一或多个地址处的数据。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述电力条件变化是通电事件、断电事件或电力损耗事件。

16.根据权利要求14所述的方法，其中存储所述一或多个地址包括将所述一或多个地址存储于所述存储器装置的一次写入多次读取WORM存储器中。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

响应于在所述存储器装置处接收的命令而将所述一或多个地址写入到所述一次写入多次读取WORM存储器。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述一次写入多次读取WORM存储器包括熔丝阵列、反熔丝阵列或其组合。

19.根据权利要求14所述的方法，其中存储所述一或多个地址包括将所述一或多个地址存储于所述存储器装置的模式寄存器中。