[发明专利]用于半导体处理腔室的微波泄漏减少的方法和装置在审
| 申请号: | 201980026308.4 | 申请日: | 2019-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN112005335A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
| 发明(设计)人: | P·P·饶;A·朱普迪;R·高塔姆 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 半导体 处理 微波 泄漏 减少 方法 装置 | ||
用于在处理腔室的狭缝阀处减少微波泄漏的方法和装置。在狭缝阀四周的多重频率共振扼流器防止来自频带的微波能量从狭缝阀逸出。多重频率共振扼流器可具有倾斜底部表面或锯齿底部表面,以使得多重频率能够在扼流器中共振,抵销由狭缝阀门所形成的间隙处的微波频率的范围。
技术领域
本原理的实施例大致关于半导体处理腔室。
背景技术
在半导体处理中使用微波以例如退火、清洁、固化及除气。微波在处理腔室的外侧产生且使用波导以将微波传送至腔室中。腔室具有基板支撑件以在晶片被处理时保持晶片。微波可用以处理单一晶片和/或在批量中的多个晶片。当金属表面之间存在间隙时,在处理期间进入腔室的微波将传播离开腔室。某些腔室具有狭缝阀,此狭缝阀具有门或阀门以允许晶片插入腔室和从腔室移除。通常,阀门允许微波泄漏出腔室。在阀门上提供密封用于建立腔室中的真空的非金属垫圈对微波为穿透性的。已使用金属垫圈以避免微波泄漏,但金属垫圈容易发生故障且需要高等级的维护。
因此,发明人已发展出在阀门处减少从半导体处理腔室泄漏微波的方式。
发明内容
方法及装置提供在半导体处理腔室中避免微波泄漏。
在某些实施例中,一种用于减少从处理腔室泄漏微波的装置,包含:狭缝阀,具有狭缝阀门;及狭槽,垂直于介于狭缝阀和狭缝阀门之间的间隙,狭槽具有底部,此底部具有变化表面,使得微波频率的范围在狭槽中共振。
在某些实施例中,装置可进一步包括其中变化表面具有线性斜坡,线性斜坡具有最高点和最低点,最高点造成狭槽的最高共振频率的共振,最低点造成狭槽的最低共振频率的共振;其中变化表面具有锯齿,锯齿的最高峰造成狭槽的最高共振频率的共振,并且锯齿的低谷造成狭槽的最低共振频率的共振;其中锯齿与狭槽分开地形成且插入狭槽中;其中狭槽的宽度小于狭槽的最高共振频率的波长;其中狭槽形成于狭缝阀中;其中狭槽具有L的形状,其中狭槽穿过L的形状的中点的总长度为在狭槽中共振的频率的波长的四分之一;其中狭槽为直的且形成于狭缝阀的材料中;其中狭槽为直的且由间隙形成,间隙介于狭缝阀的材料和插入狭缝阀的开口中的第二组件之间;其中第二组件由片状金属形成;其中狭槽形成于该狭缝阀门中;和/或其中狭槽从用于狭缝阀门的真空封口向内形成,或在用于狭缝阀门的真空封口后方形成。
在某些实施例中,一种用于减少从处理腔室泄漏微波的装置,包含:处理腔室,在内部空间中具有基板支撑件;狭缝阀,设置于处理腔室的壁中,狭缝阀具有狭缝阀开口和狭缝阀门,狭缝阀开口用于插入基板和从基板支撑件移除基板,狭缝阀门用于密封处理腔室;以及凹陷空腔,在围绕狭缝阀开口的狭缝阀中,凹陷空腔在凹陷空腔的底部上具有变化表面。
在某些实施例中,装置可进一步包括其中凹陷空腔从用于狭缝阀门的真空垫圈向内定位,朝向狭缝阀门的开口;其中变化表面具有锯齿,而具有锯齿的最高峰造成凹陷空腔的最高共振频率的共振,并且锯齿的低谷造成凹陷空腔的最低共振频率的共振;其中锯齿的高峰从凹陷空腔的开口表面大约为11.2mm深,且锯齿的低谷从凹陷空腔的开口表面大约为12.8mm深;其中锯齿与凹陷空腔分开地形成且插入凹陷空腔中;和/或其中凹陷空腔具有大于零至小于凹陷空腔的最高共振频率的波长的宽度。
在某些实施例中,一种用于减少从处理腔室泄漏微波的装置,包含:处理腔室,在内部空间中具有基板支撑件;狭缝阀,布置于处理腔室的壁中,狭缝阀具有狭缝阀开口和狭缝阀门,狭缝阀开口用于插入基板和从基板支撑件移除基板,狭缝阀门用于密封处理腔室;第一可分开组件,具有环状形状插入狭缝阀开口中且与狭缝阀配合,第一可分开组件形成扼流空腔的一个壁,狭缝阀形成扼流空腔的另一壁和扼流空腔的底部;以及第二可分开组件,具有环状形状插入扼流空腔中,第二可分开组件的底部表面在扼流空腔的底部表面处与狭缝阀配合,第二可分开组件在顶部表面上具有锯齿,提供扼流空腔的变化底部表面。
在某些实施例中,装置可进一步包括其中锯齿的高峰从扼流空腔的开口表面大约为11.2mm深,且锯齿的低谷从扼流空腔的开口表面大约为12.8mm深。
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