[发明专利]用于半导体处理腔室的微波泄漏减少的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201980026308.4 申请日: 2019-04-11
公开(公告)号: CN112005335A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: P·P·饶;A·朱普迪;R·高塔姆 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 汪骏飞;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 处理 微波 泄漏 减少 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于减少从处理腔室泄漏微波的装置,包含:

狭缝阀,所述狭缝阀具有狭缝阀门;以及

狭槽,所述狭槽垂直于介于所述狭缝阀和所述狭缝阀门之间的间隙,所述狭槽具有底部,所述底部具有变化表面,使得微波频率的范围在所述狭槽中共振。

2.如权利要求1所述的装置,其中所述变化表面具有线性斜坡,所述线性斜坡具有最高点和最低点,所述最高点造成所述狭槽的最高共振频率的共振,所述最低点造成所述狭槽的最低共振频率的共振。

3.如权利要求1所述的装置,其中所述变化表面具有锯齿,所述锯齿具有所述锯齿的最高峰和所述锯齿的低谷,所述锯齿的最高峰造成所述狭槽的最高共振频率的共振,所述锯齿的低谷造成所述狭槽的最低共振频率的共振。

4.如权利要求3所述的装置,其中所述锯齿与所述狭槽分开地形成且插入所述狭槽中。

5.如权利要求1所述的装置,其中所述狭槽的宽度大于零且小于所述狭槽的最高共振频率的波长。

6.如权利要求1所述的装置,其中所述狭槽形成于所述狭缝阀中。

7.如权利要求6所述的装置,其中所述狭槽具有L的形状,其中所述狭槽穿过所述L的形状的中点的总长度为在所述狭槽中共振的频率的波长的四分之一。

8.如权利要求6所述的装置,其中所述狭槽为直的并且形成于所述狭缝阀的材料中。

9.如权利要求6所述的装置,其中所述狭槽为直的并且由间隙形成,所述间隙介于所述狭缝阀的材料和插入所述狭缝阀的开口中的第二组件之间。

10.如权利要求1所述的装置,其中所述狭槽从用于所述狭缝阀门的真空封口向内形成,或在用于所述狭缝阀门的真空封口后方形成。

11.一种用于减少从处理腔室泄漏微波的装置,包含:

所述处理腔室,在内部容积中具有基板支撑件;

狭缝阀,设置于所述处理腔室的壁中,所述狭缝阀具有狭缝阀开口和狭缝阀门,所述狭缝阀开口用于插入基板和从所述基板支撑件移除基板,所述狭缝阀门用于密封所述处理腔室;以及

凹陷空腔,在围绕所述狭缝阀开口的所述狭缝阀中,所述凹陷空腔在所述凹陷空腔的底部上具有变化表面。

12.如权利要求11所述的装置,其中所述凹陷空腔从用于所述狭缝阀门的真空垫圈向内定位,朝向所述狭缝阀门的所述开口。

13.如权利要求11所述的装置,其中所述变化表面具有锯齿,所述锯齿具有所述锯齿的最高峰和所述锯齿的低谷,所述锯齿的最高峰造成所述凹陷空腔的最高共振频率的共振,所述锯齿的低谷造成所述凹陷空腔的最低共振频率的共振。

14.如权利要求11所述的装置,其中所述凹陷空腔具有大于零至小于所述凹陷空腔的最高共振频率的波长的宽度。

15.一种用于减少从处理腔室泄漏微波的装置,包含:

所述处理腔室,在内部容积中具有基板支撑件;

狭缝阀,设置于所述处理腔室的壁上,所述狭缝阀具有狭缝阀开口和狭缝阀门,所述狭缝阀开口用于插入基板和从所述基板支撑件移除基板,所述狭缝阀门用于密封所述处理腔室;

第一可分开组件,具有环状形状插入所述狭缝阀开口中且与所述狭缝阀配合,所述第一可分开组件形成扼流空腔的一个壁,所述狭缝阀形成所述扼流空腔的另一个壁和所述扼流空腔的底部;以及

第二可分开组件,具有环状形状插入所述扼流空腔中,具有底部表面在所述扼流空腔的所述底部表面处与所述狭缝阀配合,所述第二可分开组件在顶部表面上具有锯齿,提供所述扼流空腔的变化底部表面。

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