[发明专利]介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件

权利要求书

1.一种介电陶瓷组合物，其包含第一成分与第二成分，其中，

作为第一成分，含有下述通式(1)表示的化合物：

A_aM¹_bM²_cO_d(1)

式(1)中，A由通式(2)：Ba_1-x-ySr_xCa_y(2)表示，式(2)中，0≤x≤0.920，0≤y≤0.700；M¹是选自Ti、Zr及Sn中的至少1种；M²是选自Nb、Ta及V中的至少1种；5.70≤a≤6.30，1.90≤b≤2.10，7.20≤c≤8.80，27.45≤d≤32.50，

其中，在含有Sn的情况下，相对于以TiO₂计的Ti的氧化物、以ZrO₂计的Zr的氧化物及以SnO₂计的Sn的氧化物的总摩尔数，以SnO₂计的Sn的氧化物的含有比例为15.00mol％以下；在含有V的情况下，相对于以Nb₂O₅计的Nb的氧化物、以Ta₂O₅计的Ta的氧化物及以V₂O₅计的V的氧化物的总摩尔数，以V₂O₅计的V的氧化物的含有比例为7.50mol％以下，

作为第二成分，以相对于将第一成分换算成CaO、SrO、BaO、TiO₂、Z rO₂、SnO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、V₂O₅时第一成分的总质量的含有比例而至少含有：以RuO₂计为0.300～45.000质量％的Ru的氧化物(b)。

2.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物，其含有D的氧化物作为第二成分，所述D是选自Li、Mg、Si、Cr、Al、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、In、W、Mo、Y、Hf、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的至少1种。

3.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其含有钨青铜型晶相。

4.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其在25℃下的相对介电常数为100.0以上。

5.根据权利要求4所述的介电陶瓷组合物，其在25℃下的相对介电常数为200.0以上。

6.根据权利要求5的介电陶瓷组合物，其在25℃下的相对介电常数为300.0以上。

7.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其静电电容变化率在-55℃～200℃的温度范围内为-50.0％～50.0％的范围内。

8.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其静电电容变化率在-55℃～200℃的温度范围内为-33.0％～22.0％的范围内。

9.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其在25℃下的介质损耗t anδ为10.0％以下并且在200℃下的介质损耗tanδ为10.0％以下。

10.根据权利要求1或2所述的介电陶瓷组合物，其在200℃下的绝缘电阻值为100MΩ以上。

11.一种陶瓷电子部件，其包含由权利要求1～10中任一项所述的介电陶瓷组合物形成的介电体层以及包含贱金属作为导电成分的电极层。