[发明专利]连接端子单元有效
| 申请号: | 201980008259.1 | 申请日: | 2019-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN111630661B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
| 发明(设计)人: | 堀田丰;大须贺慎也;粂康弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱信 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01R12/71;H05K1/14;H05K7/14 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王玮;苏琳琳 |
| 地址: | 日本爱知*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连接 端子 单元 | ||
本发明实现一种能够适当地与包含半导体元件的半导体模块的端子连接部连接,并能够更减小与沿着芯片面的方向正交的方向观察时的投影面积的连接端子单元。连接端子单元(1)具备:多个连接端子(25),它们与半导体模块(5)的多个端子连接部(55)对置并连接;和端子模制部(20),其保持这些连接端子(25)。端子模制部(20)具有抵接部(T),抵接部(T)与半导体模块(5)或者支承半导体模块(5)的基材(B)抵接。抵接部(T)具有:纵向抵接部(1a),其从连接端子(25)与端子连接部(55)对置的方向亦即纵向(V)抵接;和侧方抵接部(1b、1c),其从与纵向(V)交叉、并且分别不同的至少两个方向抵接。
技术领域
本发明涉及具备与设置于半导体模块的多个端子连接部连接的多个连接端子的连接端子单元。
背景技术
例如,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)等包含功率半导体元件的半导体模块的多个端子连接部经由具备多个连接端子的连接端子单元而与控制电路等连接。在日本特开2011-253942号公报中,作为这种连接端子单元的一个例子,公开了一种具备多个信号端子(5)、和将这些信号端子(5)一体地进行树脂模制的端子台(4)的形式(图1、[0014]-[0016]等)。此外,在背景技术的说明中,括号内的附图标记是参照的文献的附图标记。这些信号端子(5)的一端侧通过键合线(6)与半导体元件(3)的电极、或者与半导体元件(3)连接的汇流条(8)电连接。信号端子(5)的另一端侧与外部电机设备等电连接。即,半导体元件(3)经由具备信号端子(5)的端子台(4)而与外部电机设备等电连接。
像这样,在使用键合线(6)而将信号端子(5)与半导体元件(3)连接的情况下,能够增大信号端子(5)与半导体元件(3)的相对位置的公差,从而能够适当地将信号端子(5)与半导体元件(3)连接。但是,由于需要用于对键合线(6)进行布线的空间,因此与沿着半导体元件(3)的芯片面的方向正交的方向观察下的端子台(4)、连接端子(5)、半导体元件(3)的专有面积(投影面积)存在变大的趋势。这阻碍了具备半导体元件(3)的半导体模块的小型化,因此被要求改善。
专利文献1:日本特开2011-253942公报。
发明内容
鉴于上述背景,希望实现一种能够与包含半导体元件的半导体模块的端子连接部适当地连接,并且能够更加减小在与沿着芯片面的方向正交的方向观察时的投影面积的连接端子单元。
鉴于上述的连接端子单元具备:
多个连接端子,它们与设置于包含至少一个开关元件的半导体模块的多个端子连接部对置并与多个上述端子连接部分别连接;和
端子模制部,其保持多个上述连接端子,
上述端子模制部具有抵接部,该抵接部与上述半导体模块或者支承上述半导体模块的基材抵接,
上述抵接部具有:
纵向抵接部,其从上述连接端子与上述端子连接部对置的方向亦即纵向抵接;和
侧方抵接部,其从与上述纵向交叉、并且分别不同的至少两个方向抵接。
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