[发明专利]一种微器件转移装置及方法

说明书

本发明公开一种微器件转移装置及方法，其中，所述装置包括温控装置，设置在所述温控装置上的正负热膨胀材料层，所述正负热膨胀材料层远离所述温控装置的一侧设置有均匀排布的多个凸起转移头，所述凸起转移头远离所述正负热膨胀材料层的一侧涂覆有第一粘性高分子材料，所述凸起转移头通过所述第一粘性高分子材料粘合抓取微器件，所述温控装置通过对所述正负热膨胀材料层进行温控使得所述凸起转移头间距发生变化，抓取不同间距的微器件。本发明通过所述温控装置对所述正负热膨胀材料层进行温度控制，可改变位于所述正负热膨胀材料层上的凸起转移头间距，从而可实现将不同间距的微器件转移至所述微器件转移装置上。

技术领域

本发明涉及LED领域，尤其涉及一种微器件转移装置及方法。

背景技术

Micro-LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。Micro-LED技术，将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1-10μm等级左右。Micro-LED最大的优势来自于微米等级的间距，每一点像素(pixel)都能定址控制及单点驱动发光、寿命长、应用范畴广。但限制Micro-LED显示技术发展的瓶颈主要包括巨量转移技术。巨量转移技术即如何将大量微小尺度的Micro-LED晶粒转移到大尺寸的转移板上，是Micro-LED产品量产化的重要技术。

现有芯片转移方法包括以下步骤：通过涂覆有粘性高分子材料A的暂时载板A将生长在晶圆上的芯片转移过来之后，将涂覆有粘性高分子材料B的暂时载板B与暂时载板A压合，由于粘性高分子材料B的粘度大于高分子材料A的粘度，因此可将芯片本体从暂时载板A移至暂时载板B。然而，所述芯片转移方法的缺陷在于，转移后的芯片间距会由芯片工艺制作的暂时载板A上的芯片间距决定，因此若要更改巨量转移的芯片间距，需要从芯片工艺做更改，较为费时。

因此，现有技术还有待于改进。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种微器件转移装置及方法，旨在解决现有技术无法高效更改微器件间距的问题。

本发明的技术方案如下：

一种微器件转移装置，其中，包括温控装置，设置在所述温控装置上的正负热膨胀材料层，所述正负热膨胀材料层远离所述温控装置的一侧设置有均匀排布的多个凸起转移头，所述凸起转移头远离所述正负热膨胀材料层的一侧涂覆有第一粘性高分子材料，所述凸起转移头通过所述第一粘性高分子材料粘合抓取微器件，所述温控装置通过对所述正负热膨胀材料层进行温控使得所述凸起转移头间距发生变化，抓取不同间距的微器件。

所述的微器件转移装置，其中，所述凸起转移头与所述正负热膨胀材料层一体成型，所述凸起转移头材料与所述正负热膨胀材料层材料相同。

所述的微器件转移装置，其中，所述正负热膨胀材料层材料为金属材料或塑料材料中的一种。

所述的微器件转移装置，其中，所述金属材料为铝、银、铅、铁、铜、镁、锰、金或铂中的一种。

所述的微器件转移装置，其中，所述塑料材料为尼龙、PMMA、PVC、PP、PE、PBT或POM中的一种。

所述的微器件转移装置，其中，所述第一粘性高分子材料的线性热膨胀系数小于所述正负热膨胀材料层材料的线性热膨胀系数。

所述的微器件转移装置，其中，所述第一粘性高分子材料为聚二甲基硅氧烷、有机硅胶黏剂或环氧树脂中的一种。

所述的微器件转移装置，其中，所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、脂环族环氧树脂、脂肪族环氧树脂、三聚氰酸环氧树脂或海因环氧树脂中的一种。

所述的微器件转移装置，其中，所述温控装置的温度变化范围为0-100℃。