[发明专利]一种微器件转移装置及方法

权利要求书

1.一种微器件转移装置，其特征在于，包括温控装置，设置在所述温控装置上的正负热膨胀材料层，所述正负热膨胀材料层远离所述温控装置的一侧设置有均匀排布的多个凸起转移头，所述正负热膨胀材料层材料为金属材料或塑料材料中的一种，所述凸起转移头材料与所述正负热膨胀材料层材料相同且所述凸起转移头与所述正负热膨胀材料层一体成型，所述凸起转移头远离所述正负热膨胀材料层的一侧涂覆有第一粘性高分子材料，所述第一粘性高分子材料的线性热膨胀系数小于所述正负热膨胀材料层材料的线性热膨胀系数，所述凸起转移头通过所述第一粘性高分子材料粘合抓取微器件，所述温控装置包括电源以及与所述电源连接的石墨烯层，所述正负热膨胀材料层设置在所述石墨烯层表面，所述温控装置通过对所述正负热膨胀材料层进行温控使得所述凸起转移头间距发生变化，抓取不同间距的微器件。

2.根据权利要求1所述的微器件转移装置，其特征在于，所述金属材料为铝、银、铅、铁、铜、镁、锰、金或铂中的一种。

3.根据权利要求1所述的微器件转移装置，其特征在于，所述塑料材料为尼龙、PMMA、PVC、PP、PE、PBT或POM中的一种。

4.根据权利要求1所述的微器件转移装置，其特征在于，所述第一粘性高分子材料为聚二甲基硅氧烷、有机硅胶黏剂或环氧树脂中的一种。

5.根据权利要求4所述的微器件转移装置，其特征在于，所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、脂环族环氧树脂、脂肪族环氧树脂、三聚氰酸环氧树脂或海因环氧树脂中的一种。

6.根据权利要求1所述的微器件转移装置，其特征在于，所述温控装置的温度变化范围为0-100℃。

7.根据权利要求1所述的微器件转移装置，其特征在于，所述微器件为LED芯片。

8.一种基于权利要求1-7任一所述微器件转移装置的微器件转移方法，其特征在于，包括步骤：

在载板上涂覆第二粘性高分子材料；

通过所述第二粘性高分子材料将晶圆上切割完成的微器件转移至所述载板上；

通过温控装置对所述正负热膨胀材料层进行温控处理，使位于所述正负热膨胀材料层上的凸起转接头间距达到预设间距；

通过凸起转移头上的第一粘性高分子材料从所述载板上粘性抓取预设间距的微器件。

9.根据权利要求8所述的微器件转移方法，其特征在于，所述第二粘性高分子材料为聚二甲基硅氧烷、有机硅胶黏剂或环氧树脂中的一种。

10.根据权利要求9所述的微器件转移方法，其特征在于，所述第一粘性高分子材料的粘度大于所述第二粘性高分子材料的粘度，当形成所述第一粘性高分子材料与所述第二粘性高分子材料的成分相同时，通过调整所述第一粘性高分子材料和第二粘性高分子材料中各成分的浓度，使所述第一粘性高分子材料的粘度大于所述第二粘性高分子材料的粘度。

11.据权利要求8所述微器件转移方法，其特征在于，所述通过温控装置对所述正负热膨胀材料层进行温控处理，使位于所述正负热膨胀材料层上的凸起转接头间距达到预设间距的步骤包括：

通过温控装置对所述正负热膨胀材料层进行加热处理，使位于所述正负热膨胀材料层上的凸起转接头间距增大，从而达到预设间距；

或，通过温控装置对所述正负热膨胀材料层进行降温处理，使位于所述正负热膨胀材料层上的凸起转接头间距减小，从而达到预设间距。

12.根据权利要求8所述微器件转移方法，其特征在于，所述通过凸起转移头上的第一粘性高分子材料从所述载板上粘性抓取预设间距的微器件的步骤包括：

将所述凸起转移头对齐所述载板上的微器件并进行压合，使所述载板上与所述凸起转接头间距相同的微器件转移至所述凸起转移头上。