[发明专利]发光二极管、发光二极管模块以及具有其的显示装置在审
申请号: | 201980001276.2 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110741477A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 崔胜利;房世珉;太世源 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜长星;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主体部 引线框架单元 第一导电层 第二面 圆形部 第二导电层 光源单元 焊料 发光二极管 方向延伸 圆形形状 延伸部 一体地 下陷 去除 贯通 | ||
1.一种发光二极管,包括:
引线框架单元;以及
光源单元,设置在所述引线框架单元上,
其中,所述引线框架单元包括:
主体部,具有与所述光源单元接触的第一面和与所述第一面相反的第二面;
第一导电层,设置在所述主体部的所述第一面上;
第二导电层,设置在所述主体部的所述第二面上;以及
连接部,设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间,并且贯通所述主体部,
其中,所述主体部包括去除所述第二面的一部分而具有从所述第二面下陷的形状的焊料孔,
其中,所述第一导电层包括:
圆形部,具有圆形形状;以及
延伸部,与所述圆形部一体地设置,并且具有从所述圆形部沿一方向延伸的形状。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述延伸部的宽度小于所述圆形部的直径。
3.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述连接部设置为在平面上与所述圆形部重叠至少一部分。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述连接部设置在贯通所述主体部的贯通孔上,
其中,所述连接部包括:
连接部导电层,设置在所述贯通孔表面上;
插塞,设置在所述连接部导电层上,并且填充所述贯通孔;以及
盖板,设置在所述贯通孔上部,从而覆盖所述贯通孔。
5.如权利要求4所述的发光二极管,其中,
所述盖板在所述主体部的所述第一面和所述第二面具有与所述连接部导电层相同的形状。
6.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述引线框架单元包括:
第三面,连接所述第一面和所述第二面,
其中,所述焊料孔经过所述第二面和所述第三面而设置。
7.如权利要求6所述的发光二极管,其中,
所述焊料孔,
在所述主体部的所述第二面具有半圆或者半椭圆形状,
在所述第三面具有五边形形状,
其中,所述五边形形状的至少一个内角为120度至170度。
8.如权利要求6所述的发光二极管,其中,
所述焊料孔,
在所述主体部的所述第二面具有半圆或者半椭圆形状,
其中,所述半圆或者半椭圆的半径是所述主体部厚度的10%至50%。
9.如权利要求1所述的发光二极管,其中,还包括:
焊料绝缘层,形成在所述第二面上,
其中,所述焊料绝缘层覆盖设置在所述焊料孔之间的第二导电层的至少一部分。
10.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
在所述第二面观察时,所述焊料孔和所述连接部设置为相隔50μm以上。
11.如权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述光源单元包括第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片,
所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片并排设置在所述引线框架单元上。
12.如权利要求11所述的发光二极管,其中,
所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片射出彼此相同波长的光,
在所述第一发光二极管芯片上设置有接收从所述第一发光二极管芯片射出的光而变换成第一波段的光的第一波长变换部,
在所述第二发光二极管芯片上设置有接收从所述第二发光二极管芯片射出的光而变换成第二波段的光的第二波长变换部,
所述第一波段和所述第二波段彼此不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的