[实用新型]一种用于半导体封装模具内腔的复合涂层

说明书

本实用新型涉及的用于半导体封装模具内腔的复合涂层，包括直接与模具内腔表面结合的过渡层、以及部分嵌入在过渡层的功能层，过渡层为Co‑W/多孔Cu层，功能层为DLC/SiC层，Co‑W/多孔Cu层能够提供高比表面积，提高DLC/SiC涂层与内腔基底的结合力，有效防止在封装作业过程中复合涂层的剥落；由于DLC/SiC涂层具有耐侵蚀性和低黏附性，可以使半导体封装模具内腔表面避免污染物的残留破坏产品以及对于模具内腔的侵蚀，提高半导体封装模具的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及一种用于半导体封装模具内腔的复合涂层。

背景技术

随着工业的发展，利用半导体模具封装成型方法对各种半导体产品的封装外壳进行塑性成型生产已十分广泛。在不断重复的成型生产操作过程中，外壳原料在成型过程中容易受摩擦升温而热解渗出，从而产生热解残留物附着于封装模具的内腔表面。随着附着物的不断堆积，会对模具内腔表面形态产生显著影响。这些污染物不仅会影响后续产品的外观及质量，且对模具自身产生一定的侵蚀作用，导致模具使用寿命降低，影响封装成型过程的生产效率。为了解决这一问题，可以在半导体封装模具内腔表面制备一种有效的复合涂层来解决污染物的附着及表面侵蚀问题。通过磁控溅射技术在基底表面制备具有特定功能的涂层能够有效的增强模具耐侵蚀性，并降低污染物的附着，从而提高模具使用寿命并显著提升生产效率。在现有的技术中，磁控溅射的功能性涂层与基底材料间的结合力不足，导致涂层易于在生产过程中发生剥落，进而增加模具内腔的损坏几率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于半导体封装模具内腔且不易剥落、高耐侵蚀性以及低黏附性的复合涂层。

为达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于半导体封装模具内腔的复合涂层，包括直接与模具内腔表面结合的过渡层、以及部分嵌入在所述过渡层的功能层，所述过渡层为Co-W/多孔Cu层，所述功能层为DLC/SiC层。

进一步地，所述Co-W/多孔Cu层的厚度为1um-2um。

进一步地，所述Co-W/多孔Cu层包括Co-W层和多孔Cu层。

进一步地，所述DLC/SiC层的厚度为3um-5um。

进一步地，所述DLC/SiC层包括DLC层以及分布在DLC层中的SiC颗粒。

进一步地，所述用于半导体封装模具内腔的复合涂层的厚度为4um-7um。

进一步地，所述Co-W/多孔Cu层由电沉积方法制备得到。

进一步地，所述DLC/SiC层由磁控溅射技术沉积制备得到。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型所提供的用于半导体封装模具内腔的复合涂层包括与内腔表面紧密结合的Co-W/多孔Cu层和DLC/SiC涂层，Co-W/多孔Cu层能够提供高比表面积，提高DLC/SiC涂层与内腔基底的结合力，有效防止在封装作业过程中复合涂层的剥落；由于DLC/SiC涂层具有耐侵蚀性和低黏附性，可以使半导体封装模具内腔表面避免污染物的残留破坏产品质量以及对于模具内腔的侵蚀，提高半导体封装模具的使用寿命。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1为本实用新型一实施例的半导体封装模具内腔及复合涂层的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。