[实用新型]IGBT功率模块

说明书

本实用新型公开了一种IGBT功率模块，包括至少一个IGBT芯片，所述IGBT芯片下方设置有导热基板，所述导热基板下方设有散热底板，所述散热底板中设有多个真空腔体，所述真空腔体中装有散热液体，所述真空腔体为柱状，所述多个真空腔体以阵列形式排列。本实用新型通过在散热底板中设置真空腔体，并在真空腔体中设置散热液体，IGBT芯片产生的热量传递到散热液体后，使散热液体在真空中气化，并在冷端重新液化，如此循环可以提升散热的效率，本实用新型相对于同等材质的匀质金属板具有更好的散热效果。本实用新型可以广泛应用于IGBT技术领域。

技术领域

本实用新型涉及IGBT技术领域，尤其是一种IGBT功率模块。

背景技术

目前IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)被称为新能源汽车的心脏，其战略地位在新能源汽车行业中可见一斑，而IGBT在工作时会大量发热，由于芯片技术的限制，该发热的问题目前无法解决。因此对于IGBT而言，散热性能决定了它的性能和寿命。

在传统的IGBT散热技术中，采用金属散热底板进行散热，通常该金属散热底板的选用匀质金属，散热性能完全取决于材质。如果需要更好的散热性能，需要选择更贵的导热金属，例如将铝板替换成铜板。可见，现有技术在性能提升上受到原料成本制约，也其散热能力的极限也受限于材质。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的在于：提供一种IGBT功率模块，以提散热底板的散热性能。

本实用新型所采取的技术方案是：

一种IGBT功率模块，包括至少一个IGBT芯片，所述IGBT芯片下方设置有导热基板，所述导热基板下方设有散热底板，所述散热底板中设有多个真空腔体，所述真空腔体中装有散热液体，所述真空腔体为柱状，所述多个真空腔体以阵列形式排列。

进一步，所述真空腔体为圆柱状，真空腔体的长度方向与散热底板连接导热基板的一面垂直，所述真空腔体的长度方向是指圆柱的高度方向。

进一步，所述真空腔体的内侧壁呈海绵状或者设置有与真空腔体长度方向平行的凹槽。

进一步，所述真空腔体的直径小于5mm。

进一步，所述导热基板为双面覆铜陶瓷基板。

进一步，所述IGBT芯片和导热基板之间以及导热基板和散热底板之间均设置有导热硅胶。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过在散热底板中设置真空腔体，并在真空腔体中设置散热液体，IGBT芯片产生的热量传递到散热液体后，使散热液体在真空中气化，并在冷端重新液化，如此循环可以提升散热的效率，本实用新型相对于同等材质的匀质金属板具有更好的散热效果。

附图说明

图1为本实用新型一种具体实施例的IGBT功率模块的结构示意图；

图2为本实用新型一种具体实施例的真空腔体的侧视剖面图；

图3为本实用新型另一种具体实施例的真空腔体的侧视剖面图；

图4为图3所示的真空腔体的俯视剖面图；

图5为本实用新型一种具体实施例的真空腔体的排列方式示意图；

图6为本实用新型另一种具体实施例的真空腔体的排列方式示意图。

具体实施方式

下面结合说明书附图和具体的实施例对本实用新型进行进一步的说明。